參數(shù)資料
型號： IDT71V67903S80B
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： SRAM
英文描述： 512K X 18 CACHE SRAM, 8 ns, PBGA119
封裝： 14 X 20 MM, BGA-119
文件頁數(shù)： 7/23頁
文件大?。?/td> 975K
代理商： IDT71V67903S80B
6.42
15
IDT71V67703, IDT71V67903, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with
3.3V I/O, Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect
Commercial and Industrial Temperature Ranges
Timing Waveform of Write Cycle No. 1 - GW Controlled (1,2,3)
A
D
R
E
S
C
LK
A
D
S
P
A
D
S
C
tC
Y
C
tS
S
tH
S
tC
H
tC
L
tH
A
tS
A
x
A
y
A
z
A
D
V
D
A
T
A
O
U
T
O
E
tH
C
tS
D
I1
(A
x)
I1
(A
z)
I2
(A
y)
tH
D
tO
H
Z
D
A
T
A
IN
tH
A
V
O
4(
A
w
)
C
E
,
C
S
1
tH
W
G
W
tS
W
(N
ot
e
3)
I2
(A
z)
I3
(A
z)
I4
(A
y)
I3
(A
y)
I2
(A
y)
tS
A
V
(A
D
V
s
u
s
pends
bur
st
)
I1
(A
y)
tS
C
(1)
(2)
O
3
(A
w
)
5309
d
rw
08
G
W
is
ignored
w
hen
A
D
S
P
in
itia
te
s
a
c
ycl
e
and
is
sa
m
pl
ed
on
th
e
n
e
xt
cycle
ri
s
ing
edge
,
NOTES:
1
.
ZZ
input
is
LOW,
BWE
is
HIGH
and
LBO
is
Don't
Care
for
this
cycle.
2
.
O4
(Aw)
represents
the
final
output
data
in
the
burst
sequence
of
the
base
address
Aw.
I1
(Ax)
represents
the
first
input
fr
om
the
external
address
Ax.
I1
(Ay)
represents
the
first
input
from
the
external
address
Ay;
I2
(Ay)
represents
the
next
input
data
in
the
burst
sequence
of
the
base
address
Ay,
etc.
where
A0
and
A1
are
advan
cing
for
the
four
word
burst
in
the
sequence
defined
by
the
state
of
the
LBO
input.
In
the
case
of
input
I2
(Ay)
this
data
is
valid
for
two
cycles
because
ADV
is
high
and
has
suspended
the
burst.
3.
C
S
0timing
transitions
are
identical
but
inverted
to
the
CE
and
CS
1
signals.
For
example,
when
CE
and
CS
1are
LOW
on
this
waveform,
CS
0is
HIGH.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT7204L15J8 4K X 9 OTHER FIFO, 15 ns, PQCC32
7207L35J 32K X 9 OTHER FIFO, 35 ns, PQCC32
7207L50P 32K X 9 OTHER FIFO, 50 ns, PDIP28
IDT72235LB25J CMOS SyncFIFOO 256 x 18, 512 x 18, 1024 x 18, 2048 x 18 and 4096 x 18
72205LB15PFI 256 X 18 OTHER FIFO, 10 ns, PQFP64
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參數(shù)描述
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