參數(shù)資料
型號(hào): IDT71V67903S80B
廠商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類(lèi): SRAM
英文描述: 512K X 18 CACHE SRAM, 8 ns, PBGA119
封裝: 14 X 20 MM, BGA-119
文件頁(yè)數(shù): 6/23頁(yè)
文件大?。?/td> 975K
代理商: IDT71V67903S80B
6.42
14
IDT71V67703, IDT71V67903, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with
3.3V I/O, Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect
Commercial and Industrial Temperature Ranges
O
1(
A
z)
C
LK
A
D
S
P
A
D
R
E
S
G
W
A
D
V
O
E
D
A
T
A
O
U
T
tC
Y
C
tC
H
tC
L
tH
A
tS
W
tH
W
tC
LZ
A
x
A
y
A
z
tH
S
I1(
A
y)
tS
D
tH
D
tO
LZ
tC
D
tC
D
C
D
A
T
A
IN
(2
)
tO
E
O
1(
A
z)
S
in
gl
e
R
ea
d
F
low
-t
h
rou
gh
B
ur
st
R
ead
W
ri
te
tO
H
Z
tS
S
tS
A
O
3(
A
z)
O
2(
A
z)
O
4(
A
z)
O
1(
A
x)
53
09
dr
w
07
tC
D
,
NOTES:
1
.
Device
is
selected
through
entire
cycle;
CE
and
CS
1are
LOW,
CS
0is
HIGH.
2
.
ZZ
input
is
LOW
and
LBO
is
Don't
Care
for
this
cycle.
3
.
O1
(Ax)
represents
the
first
output
from
the
external
address
Ax.
I1
(Ay)
represents
the
first
input
from
the
external
addre
ss
Ay;
O1
(Az)
represents
the
first
output
from
the
external
address
Az;
O2
(Az)
represents
the
next
output
data
in
the
burst
sequence
of
the
base
address
Az,
etc.
where
A0
and
A1
are
advancing
for
the
four
word
burst
i
nthe
sequence
defined
by
the
state
of
the
LBO
input.
Timing Waveform of Combined Flow-Through Read and Write Cycles (1,2,3)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT7204L15J8 4K X 9 OTHER FIFO, 15 ns, PQCC32
7207L35J 32K X 9 OTHER FIFO, 35 ns, PQCC32
7207L50P 32K X 9 OTHER FIFO, 50 ns, PDIP28
IDT72235LB25J CMOS SyncFIFOO 256 x 18, 512 x 18, 1024 x 18, 2048 x 18 and 4096 x 18
72205LB15PFI 256 X 18 OTHER FIFO, 10 ns, PQFP64
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT71V67903S80BG 功能描述:IC SRAM 9MBIT 80NS 119BGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP(14x14) 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71V67703S75PFGI
IDT71V67903S80BG8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 80NS 119BGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP(14x14) 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71V67703S75PFGI
IDT71V67903S80BQ 功能描述:IC SRAM 9MBIT 80NS 165FBGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP(14x14) 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71V67703S75PFGI
IDT71V67903S80BQ8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 80NS 165FBGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP(14x14) 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71V67703S75PFGI
IDT71V67903S80BQI 功能描述:IC SRAM 9MBIT 80NS 165FBGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP(14x14) 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71V67703S75PFGI