參數(shù)資料
型號(hào): IDT71V67903S80B
廠商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類(lèi): SRAM
英文描述: 512K X 18 CACHE SRAM, 8 ns, PBGA119
封裝: 14 X 20 MM, BGA-119
文件頁(yè)數(shù): 2/23頁(yè)
文件大?。?/td> 975K
代理商: IDT71V67903S80B
6.42
10
IDT71V67703, IDT71V67903, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with
3.3V I/O, Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect
Commercial and Industrial Temperature Ranges
Synchronous Truth Table (1,3)
NOTES:
1. L = VIL, H = VIH, X = Don’t Care.
2.
OE is an asynchronous input.
3. ZZ - low for the table.
Operation
Address
Used
CE
CS0
CS1
ADSP ADSC
ADV
GW
BWE
BWx
OE(2)
CLK
I/O
Deselected Cycle, Power Down
None
H
X
L
X
HI-Z
Deselected Cycle, Power Down
None
L
X
H
L
X
HI-Z
Deselected Cycle, Power Down
None
L
X
L
X
HI-Z
Deselected Cycle, Power Down
None
L
X
H
X
L
X
HI-Z
Deselected Cycle, Power Down
None
L
X
L
X
HI-Z
Read Cycle, Begin Burst
External
L
H
L
X
L
DOUT
Read Cycle, Begin Burst
External
L
H
L
X
H
HI-Z
Read Cycle, Begin Burst
External
L
H
L
H
L
X
H
X
L
DOUT
Read Cycle, Begin Burst
External
L
H
L
H
L
X
H
L
H
L
DOUT
Read Cycle, Begin Burst
External
L
H
L
H
L
X
H
L
H
HI-Z
Write Cycle, Begin Burst
External
L
H
L
H
L
X
H
L
X
DIN
Write Cycle, Begin Burst
External
L
H
L
H
L
X
L
X
DIN
Read Cycle, Continue Burst
Next
X
H
L
H
X
L
DOUT
Read Cycle, Continue Burst
Next
X
H
L
H
X
H
HI-Z
Read Cycle, Continue Burst
Next
X
H
L
H
X
H
L
DOUT
Read Cycle, Continue Burst
Next
X
H
L
H
X
H
HI-Z
Read Cycle, Continue Burst
Next
H
X
H
L
H
X
L
DOUT
Read Cycle, Continue Burst
Next
H
X
H
L
H
X
H
HI-Z
Read Cycle, Continue Burst
Next
H
X
H
L
H
X
H
L
DOUT
Read Cycle, Continue Burst
Next
H
X
H
L
H
X
H
HI-Z
Write Cycle, Continue Burst
Next
X
H
L
H
L
X
DIN
Write Cycle, Continue Burst
Next
X
H
L
X
DIN
Write Cycle, Continue Burst
Next
H
X
H
L
H
L
X
DIN
Write Cycle, Continue Burst
Next
H
X
H
L
X
DIN
Read Cycle, Suspend Burst
Current
X
H
X
L
DOUT
Read Cycle, Suspend Burst
Current
X
H
X
H
HI-Z
Read Cycle, Suspend Burst
Current
X
H
X
H
L
DOUT
Read Cycle, Suspend Burst
Current
X
H
X
H
HI-Z
Read Cycle, Suspend Burst
Current
H
X
H
X
L
DOUT
Read Cycle, Suspend Burst
Current
H
X
H
X
H
HI-Z
Read Cycle, Suspend Burst
Current
H
X
H
X
H
L
DOUT
Read Cycle, Suspend Burst
Current
H
X
H
X
H
HI-Z
Write Cycle, Suspend Burst
Current
X
H
L
X
DIN
Write Cycle, Suspend Burst
Current
X
H
L
X
DIN
Write Cycle, Suspend Burst
Current
H
X
H
L
X
DIN
Write Cycle, Suspend Burst
Current
H
X
H
L
X
DIN
5309 tbl 11
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT7204L15J8 4K X 9 OTHER FIFO, 15 ns, PQCC32
7207L35J 32K X 9 OTHER FIFO, 35 ns, PQCC32
7207L50P 32K X 9 OTHER FIFO, 50 ns, PDIP28
IDT72235LB25J CMOS SyncFIFOO 256 x 18, 512 x 18, 1024 x 18, 2048 x 18 and 4096 x 18
72205LB15PFI 256 X 18 OTHER FIFO, 10 ns, PQFP64
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IDT71V67903S80BQ 功能描述:IC SRAM 9MBIT 80NS 165FBGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP(14x14) 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71V67703S75PFGI
IDT71V67903S80BQ8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 80NS 165FBGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP(14x14) 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71V67703S75PFGI
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