參數(shù)資料
型號： IDT71V65903S80B
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： SRAM
英文描述： 512K X 18 ZBT SRAM, 8 ns, PBGA119
封裝： 14 X 22 MM, PLASTIC, MS-026AA, BGA-119
文件頁數(shù)： 14/26頁
文件大?。?/td> 972K
代理商： IDT71V65903S80B
6.42
IDT71V65703, IDT71V65903, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs with
3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs
Commercial and Industrial Temperature Ranges
21
Timing Waveform of CS Operation(1,2,3,4)
NOTES:
1.
Q
(A
1)
represents
the
first
output
from
the
external
address
A
1.
D
(A
3)
represents
the
input
data
to
the
SRAM
corresponding
to
address
A
3etc.
2.
CE
2timing
transitions
are
identical
but
inverted
to
the
CE
1and
CE
2
signals.
For
example,
when
CE
1and
CE
2are
LOW
on
this
waveform,
CE
2is
HIGH.
3.
When
either
one
of
the
Chip
enables
(
CE
1,
CE2,
CE
2)
is
sampled
inactive
at
the
rising
clock
edge,
a
deselect
cycle
is
initiated.
The
data-bus
tri-states
one
cycle
after
the
init
iation
of
the
deselect
cycle.
This
allows
for
any
pending
data
transfers
(reads
or
writes)
to
be
completed.
4.
Individual
Byte
Write
signals
(
BW
x)
must
be
valid
on
all
write
and
burst-write
cycles.
A
write
cycle
is
initiated
when
R/
W
signal
is
sampled
LOW.
The
byte
write
information
comes
in
one
cycle
before
the
actual
data
is
presented
to
the
SRAM.
R
/W
A
1
C
L
K
A
D
V
/L
D
A
D
R
E
S
C
E
1
,
C
E
2
(2)
O
E
D
A
T
A
O
U
T
Q
(A
1
)
Q
(A
2
)
Q
(A
4
)
tC
LZ
Q
(A
5
)
tC
D
tC
H
Z
tC
D
C
D
(A
3
)
tS
D
tH
D
tC
H
tC
L
tC
Y
C
tH
C
tS
C
A
5
A
3
tS
B
D
A
T
A
IN
tH
E
tS
E
A
2
tH
A
tS
A
4
tH
W
tS
W
tH
B
C
E
N
tH
A
D
V
tS
A
D
V
5
298
dr
w
10
B
W
1
-
B
W
4
B
(A
3)
,
相關PDF資料
PDF描述
IDT7210L25PQF 16-BIT, DSP-MULTIPLIER ACCUMULATOR/SUMMER, PQFP64
IDT7281L25SOI 512 X 9 OTHER FIFO, 25 ns, PDSO28
7200L20TDB 256 X 9 OTHER FIFO, 20 ns, CDIP28
IDT7281L25TPI 512 X 9 OTHER FIFO, 25 ns, PDIP28
IDT7284L20PAI 4K X 9 BI-DIRECTIONAL FIFO, 20 ns, PDSO56
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IDT71V65903S80BGI 功能描述:IC SRAM 9MBIT 80NS 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT71V65903S80BGI8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 80NS 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI
IDT71V65903S80BQ 功能描述:IC SRAM 9MBIT 80NS 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI
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