參數(shù)資料
型號(hào)： IDT71V3576S150BGI
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： SRAM
英文描述： 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
中文描述： 128K X 36 CACHE SRAM, 3.8 ns, PBGA119
封裝： BGA-119
文件頁(yè)數(shù)： 6/22頁(yè)
文件大?。?/td> 283K
代理商： IDT71V3576S150BGI
6.42
14
IDT71V3576, IDT71V3578, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
3.3V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect
Commercial and Industrial Temperature Ranges
NOTES:
1
.
Device
is
selected
through
entire
cycle;
CE
and
CS
1are
LOW,
CS
0is
HIGH.
2
.
ZZ
input
is
LOW
and
LBO
is
Don't
Care
for
this
cycle.
3.
O1
(Ax)
represents
the
first
output
from
the
external
address
Ax.
I1
(Ay)
represents
the
first
input
from
the
external
addre
ss
Ay;
O1
(Az)
represents
the
first
output
from
the
external
address
Az;
O2
(Az)
represents
the
next
output
data
in
the
burst
sequence
of
the
base
address
Az,
etc.
where
A0
and
A1
are
advancing
for
the
four
word
burst
i
nthe
sequence
defined
by
the
state
of
the
LBO
input.
Timing Waveform of Combined Pipelined Read and Write Cycles(1,2,3)
C
LK
A
D
S
P
A
D
R
E
S
G
W
A
D
V
O
E
D
AT
A
O
U
T
tC
Y
C
tC
H
tC
L
tH
A
tS
W
tH
W
tC
LZ
A
x
A
y
A
z
tH
S
I1
(A
y)
tS
D
tH
D
tO
LZ
tC
D
tC
D
C
D
A
TA
IN
(2
)
tO
E
O
1(
A
z)
O
1(
A
z)
S
ingle
R
ea
d
P
ip
e
lined
B
ur
st
R
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d
P
ip
e
lin
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d
W
ri
te
O
1(A
x)
tO
H
Z
tS
S
tS
A
O
3(
A
z)
O
2(A
z)
5279
dr
w
09
tC
D
,
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V3576S133PF 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V67903S80B 512K X 18 CACHE SRAM, 8 ns, PBGA119
IDT7204L15J8 4K X 9 OTHER FIFO, 15 ns, PQCC32
7207L35J 32K X 9 OTHER FIFO, 35 ns, PQCC32
7207L50P 32K X 9 OTHER FIFO, 50 ns, PDIP28
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT71V3576S150PF 功能描述:IC SRAM 4MBIT 150MHZ 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V3576S150PF8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 150MHZ 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
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IDT71V3576S150PFGI 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 4.5MBIT 150MHZ 100TQFP
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