參數(shù)資料
型號： IDT71V3576S150BGI
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： SRAM
英文描述： 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
中文描述： 128K X 36 CACHE SRAM, 3.8 ns, PBGA119
封裝： BGA-119
文件頁數(shù)： 10/22頁
文件大小： 283K
代理商： IDT71V3576S150BGI
6.42
18
IDT71V3576, IDT71V3578, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
3.3V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect
Commercial and Industrial Temperature Ranges
CLK
ADSP
GW,BWE,BWx
CE, CS1
CS0
ADDRESS
ADSC
DATAOUT
OE
Av
Aw
Ax
Ay
Az
(Av)
(Aw)
(Ax)
(Ay)
5279 drw 14
,
Non-Burst Read Cycle Timing Waveform
NOTES:
1. ZZ input is LOW,
ADV is HIGH and LBO is Don't Care for this cycle.
2. (Ax) represents the data for address Ax, etc.
3. For read cycles,
ADSP and ADSC function identically and are therefore interchangable.
NOTES:
1. ZZ input is LOW,
ADV and OE are HIGH, and LBO is Don't Care for this cycle.
2. (Ax) represents the data for address Ax, etc.
3. Although only
GW writes are shown, the functionality of BWE and BWx together is the same as GW.
4. For write cycles,
ADSP and ADSC have different limitations.
Non-Burst Write Cycle Timing Waveform
CLK
ADSP
GW
CE, CS1
CS0
ADDRESS
ADSC
DATAIN
Av
Aw
Ax
Az
Ay
(Av)
(Aw)
(Ax)
(Az)
(Ay)
5279 drw 15
,
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V3576S133PF 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V67903S80B 512K X 18 CACHE SRAM, 8 ns, PBGA119
IDT7204L15J8 4K X 9 OTHER FIFO, 15 ns, PQCC32
7207L35J 32K X 9 OTHER FIFO, 35 ns, PQCC32
7207L50P 32K X 9 OTHER FIFO, 50 ns, PDIP28
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT71V3576S150PF 功能描述:IC SRAM 4MBIT 150MHZ 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V3576S150PF8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 150MHZ 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V3576S150PFG 功能描述:IC SRAM 4MBIT 150MHZ 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤
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IDT71V3576S150PFGI 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 4.5MBIT 150MHZ 100TQFP
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