參數(shù)資料
型號： IDT71V3576S150BGI
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： SRAM
英文描述： 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
中文描述： 128K X 36 CACHE SRAM, 3.8 ns, PBGA119
封裝： BGA-119
文件頁數(shù)： 2/22頁
文件大小： 283K
代理商： IDT71V3576S150BGI
6.42
10
IDT71V3576, IDT71V3578, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
3.3V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect
Commercial and Industrial Temperature Ranges
Synchronous Truth Table(1,3)
NOTES:
1. L = VIL, H = VIH, X = Don’t Care.
2.
OE is an asynchronous input.
3. ZZ = low for this table.
Operation
Address
Used
CE
CS 0
CS1
ADSP
ADSC
ADV
GW
BWE
BWx
OE
(2)
CLK
I/O
Deselected Cycle, Power Down
None
H
X
L
XXXXX
-
HI-Z
Deselected Cycle, Power Down
None
L
X
H
L
X
XXXXX
-
HI-Z
Deselected Cycle, Power Down
None
L
X
L
X
XXXXX
-
HI-Z
Deselected Cycle, Power Down
None
L
X
H
X
L
XXXXX
-
HI-Z
Deselected Cycle, Power Down
None
L
X
L
XXXXX
-
HI-Z
Read Cycle, Begin Burst
External
L
H
L
X
XXXX
L
-
DOUT
Read Cycle, Begin Burst
External
L
H
L
X
XXXX
H
-
HI-Z
Read Cycle, Begin Burst
External
L
H
L
H
L
X
H
X
L
-
DOUT
Read Cycle, Begin Burst
External
L
H
L
H
L
X
H
L
H
L
-
DOUT
Read Cycle, Begin Burst
External
L
H
L
H
L
X
H
L
H
-
HI-Z
Write Cycle, Begin Burst
External
L
H
L
H
L
X
H
L
X
-
DIN
Write Cycle, Begin Burst
External
L
H
L
H
L
X
L
X
-
DIN
Read Cycle, Continue Burst
Next
X
H
L
H
X
L
-
DOUT
Read Cycle, Continue Burst
Next
X
H
L
H
X
H
-
HI-Z
Read Cycle, Continue Burst
Next
X
H
L
H
X
H
L
-
DOUT
Read Cycle, Continue Burst
Next
X
H
L
H
X
H
-
HI-Z
Read Cycle, Continue Burst
Next
H
X
H
L
H
X
L
-
DOUT
Read Cycle, Continue Burst
Next
H
X
H
L
H
X
H
-
HI-Z
Read Cycle, Continue Burst
Next
H
X
H
L
H
X
H
L
-
DOUT
Read Cycle, Continue Burst
Next
H
X
H
L
H
X
H
-
HI-Z
Write Cycle, Continue Burst
Next
X
H
L
H
L
X
-
DIN
Write Cycle, Continue Burst
Next
XXX
H
L
XXX
-
DIN
Write Cycle, Continue Burst
Next
H
X
H
L
H
L
X
-
DIN
Write Cycle, Continue Burst
Next
H
X
H
L
X
-
DIN
Read Cycle, Suspend Burst
Current
X
H
X
L
-
DOUT
Read Cycle, Suspend Burst
Current
X
H
X
H
-
HI-Z
Read Cycle, Suspend Burst
Current
X
H
X
H
L
-
DOUT
Read Cycle, Suspend Burst
Current
X
H
X
H
-
HI-Z
Read Cycle, Suspend Burst
Current
H
X
H
X
L
-
DOUT
Read Cycle, Suspend Burst
Current
H
X
H
X
H
-
HI-Z
Read Cycle, Suspend Burst
Current
H
X
H
X
H
L
-
DOUT
Read Cycle, Suspend Burst
Current
H
X
H
X
H
-
HI-Z
Write Cycle, Suspend Burst
Current
X
H
L
X
-
DIN
Write Cycle, Suspend Burst
Current
X
H
L
X
-
DIN
Write Cycle, Suspend Burst
Current
H
X
H
L
X
-
DIN
Write Cycle, Suspend Burst
Current
H
X
H
L
X
-
DIN
5279 tbl 11
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V3576S133PF 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V67903S80B 512K X 18 CACHE SRAM, 8 ns, PBGA119
IDT7204L15J8 4K X 9 OTHER FIFO, 15 ns, PQCC32
7207L35J 32K X 9 OTHER FIFO, 35 ns, PQCC32
7207L50P 32K X 9 OTHER FIFO, 50 ns, PDIP28
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT71V3576S150PF 功能描述:IC SRAM 4MBIT 150MHZ 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V3576S150PF8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 150MHZ 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V3576S150PFG 功能描述:IC SRAM 4MBIT 150MHZ 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤
IDT71V3576S150PFG8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 150MHZ 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤
IDT71V3576S150PFGI 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 4.5MBIT 150MHZ 100TQFP
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*