參數(shù)資料
型號: IDT71V3557S85BG
廠商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類: DRAM
英文描述: 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs
中文描述: 128K X 36 ZBT SRAM, 8.5 ns, PBGA119
封裝: 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119
文件頁數(shù): 7/28頁
文件大?。?/td> 996K
代理商: IDT71V3557S85BG
6.42
IDT71V3557, IDT71V3559, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
ZBT Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
7
Pin Configuration 128K x 36, 119 BGA
Pin Configuration - 256K x 18, 119 BGA
Top View
Top View
NOTES:
1. R5 and J5 do not have to be directly connected to V
SS
as long as the input voltage is < V
IL.
2. J3 does not have to be directly connected directly to V
DD
as long as the input voltage is
V
IH
.
3. G4 and A4 are reserved for future 8Mand 16Mrespectively.
4. These pins are NC for the "S" version and the JTAG signal listed for the "SA" version.
5.
TRST
is offered as an optional JTAG reset if requested in the application. If not needed, can be left floating and will internally be pulled to V
DD.
6. Pin T7 supports ZZ (sleep mode) for the latest die revisions.
1
2
3
4
5
6
7
A
V
DDQ
A
6
A
4
A
8
A
16
V
DDQ
B
NC
CE
2
A
3
ADV/
LD
A
9
CE
2
NC
C
A
7
A
2
V
DD
A
12
A
15
NC
D
I/O
16
I/O
P3
V
SS
NC
V
SS
I/O
P2
I/O
15
E
I/O
17
I/O
18
V
SS
V
SS
I/O
13
I/O
14
F
V
DDQ
I/O
19
V
SS
OE
V
SS
I/O
12
V
DDQ
G
I/O
20
I/O
21
BW
3
BW
2
I/O
11
I/O
10
H
I/O
22
I/O
23
V
SS
R/
W
V
SS
I/O
9
I/O
8
J
V
DDQ
V
DD
V
DD
V
DD
V
DDQ
K
I/O
24
I/O
26
V
SS
CLK
V
SS
I/O
6
I/O
7
L
I/O
25
I/O
27
BW
4
NC
BW
1
I/O
4
I/O
5
M
V
DDQ
I/O
28
V
SS
CEN
V
SS
I/O
3
V
DDQ
N
I/O
29
I/O
30
V
SS
A
1
V
SS
I/O
2
I/O
1
P
I/O
31
I/O
P4
V
SS
A
0
V
SS
I/O
0
I/O
P1
R
NC
A
5
LBO
V
DD
A
13
T
NC
NC
A
10
A
11
A
14
NC
NC/ZZ
(6)
U
V
DDQ
NC/TMS
(4)
NC/TDI
(4)
NC/TCK
(4)
NC/TDO
(4)
NC/
TRST
(4,5)
V
DDQ
5282 drw 13A
V
SS(1)
NC
NC(3)
CE
1
NC(3)
V
DD(2)
V
SS(1)
,
NC
1
2
3
4
5
6
7
A
V
DDQ
A
6
A
4
NC(3)
A
8
A
16
V
DDQ
B
NC
CE2
A
3
ADV/
LD
A
9
CE
2
NC
C
A
7
A
2
V
DD
A
13
A
17
NC
D
I/O
8
NC
V
SS
NC
V
SS
I/O
P1
NC
E
NC
I/O
9
V
SS
V
SS
NC
I/O
7
F
V
DDQ
NC
V
SS
OE
V
SS
I/O
6
V
DDQ
G
NC
I/O
10
BW
2
NC
I/O
5
H
I/O
11
NC
V
SS
R/
W
V
SS
I/O
4
NC
J
V
DDQ
V
DD
V
DD
V
DD
V
DDQ
K
NC
I/O
12
V
SS
CLK
V
SS
NC
I/O
3
L
I/O
13
NC
NC
BW
1
I/O
2
NC
M
V
DDQ
I/O
14
V
SS
CEN
V
SS
NC
V
DDQ
N
I/O
15
NC
V
SS
A
1
V
SS
I/O
1
NC
P
NC
I/O
P2
V
SS
A
0
V
SS
NC
I/O
0
R
NC
A
5
LBO
V
DD
A
12
T
NC
A
10
A
15
NC
A
14
A
11
NC/ZZ
(6)
U
V
DDQ
NC/TMS
(4)
NC/TDI
(4)
NC/TCK
(4)
NC/TDO
(4)
NC/TRST
(4,5)
V
DDQ
5282 drw 13B
NC
SS(1)
V
V
SS
V
SS
CE
1
NC(3)
V
DD(2)
V
SS(1)
,
NC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V3557S85BGI 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs
IDT71V3559S 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs
IDT71V3559S85BG 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs
IDT71V3559S85BGI 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs
IDT71V3559S85BQ 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs
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IDT71V3557S85BGI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR)
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IDT71V3557S85BQ 功能描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA(14x22) 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI
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