參數(shù)資料
型號(hào)： IDT71V3557S85BG
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs
中文描述： 128K X 36 ZBT SRAM, 8.5 ns, PBGA119
封裝： 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119
文件頁(yè)數(shù)： 11/28頁(yè)
文件大?。?/td> 996K
代理商： IDT71V3557S85BG
6.42
IDT71V3557, IDT71V3559, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
ZBT Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
11
NOTES:
1.
CE
2
timng transition is identical to
CE
1
signal. CE
2
timng transition is identical but inverted to the
CE
1
and
CE
2
signals.
2. H = High; L = Low; X = Don't Care; Z = High Impedence.
Device Operation - Showing Mixed Load, Burst,
Deselect and NOOP Cycles
(2)
Cycle
Address
R/
W
ADV/
LD
CE
1
(1)
CEN
BW
x
OE
I/O
Comments
n
A
0
H
L
L
L
X
X
D
1
Load read
n+1
X
X
H
X
L
X
L
Q
0
Burst read
n+2
A
1
H
L
L
L
X
L
Q
0+1
Load read
n+3
X
X
L
H
L
X
L
Q
1
Deselect or STOP
n+4
X
X
H
X
L
X
X
Z
NOOP
n+5
A
2
H
L
L
L
X
X
Z
Load read
n+6
X
X
H
X
L
X
L
Q
2
Burst read
n+7
X
X
L
H
L
X
L
Q
2+1
Deselect or STOP
n+8
A
3
L
L
L
L
L
X
Z
Load write
n+9
X
X
H
X
L
L
X
D
3
Burst write
n+10
A
4
L
L
L
L
L
X
D
3+1
Load write
n+11
X
X
L
H
L
X
X
D
4
Deselect or STOP
n+12
X
X
H
X
L
X
X
Z
NOOP
n+13
A
5
L
L
L
L
L
X
Z
Load write
n+14
A
6
H
L
L
L
X
X
D
5
Load read
n+15
A
7
L
L
L
L
L
L
Q
6
Load write
n+16
X
X
H
X
L
L
X
D
7
Burst write
n+17
A
8
H
L
L
L
X
X
D
7+1
Load read
n+18
X
X
H
X
L
X
L
Q
8
Burst read
n+19
A
9
L
L
L
L
L
L
Q
8+1
Load write
5282 tbl 12
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V3557S85BGI 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs
IDT71V3559S 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs
IDT71V3559S85BG 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs
IDT71V3559S85BGI 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs
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