- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377342 > IDT71V3557S85BG (INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC) 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IDT71V3557S85BG |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs |
| 中文描述： | 128K X 36 ZBT SRAM, 8.5 ns, PBGA119 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119 |
| 文件頁數(shù)： | 15/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 996K |
| 代理商： | IDT71V3557S85BG |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁當前第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁
6.42
IDT71V3557, IDT71V3559, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
ZBT Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
15
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range
(V
DD
= 3.3V +/-5%)
Figure 2. Lumped Capacitive Load, Typical Derating
Figure 1. AC Test Load
AC Test Loads
AC Test Conditions
(V
DDQ
= 3.3V)
Input Pulse Levels
DC Electrical Characterics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range
(1)
(V
DD
= 3.3V +/-5%)
NOTE:
1. The
LBO,
JTAG and ZZ pins will be internally pulled to V
DD
and ZZ will be internally pulled to V
SS
if it is not actively driven in the application.
NOTES:
1. All values are maximumguaranteed values.
2. At f = f
MAX,
inputs are cycling at the maximumfrequency of read cycles of 1/t
CYC
; f=0 means no input lines are changing.
3. For I/Os V
HD
= V
DDQ
- 0.2V, V
LD
= 0.2V. For other inputs V
HD
= V
DD
- 0.2V, V
LD
= 0.2V.
V
DDQ
/2
50
I/O
Z
0
= 50
5282 drw 04
,
1
2
3
4
20 30 50
100
200
tCD
(Typical, ns)
Capacitance (pF)
80
5
6
5282 drw 05
,
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Max.
Unit
|
LI
|
Input Leakage Current
V
DD
= Max., V
IN
= 0V to V
DD
___
5
μA
|
LI
|
LBO,
JTAG and ZZ Input Leakage Current
(1)
V
DD
= Max., V
IN
= 0V to V
DD
___
30
μA
|
LO
|
Output Leakage Current
V
OUT
= 0V to V
CC
___
5
μA
V
OL
Output LowVoltage
I
OL
= +8mA, V
DD
= Min.
___
0.4
V
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= -8mA, V
DD
= Min.
2.4
___
V
5282 tbl 21
Symbol
Parameter
Test Conditions
7.5ns
8ns
8.5ns
Unit
Com'l Only
Com'l
Ind
Com'l
Ind
I
DD
Operating Power
Supply Current
Device Selected, Outputs Open,
ADV/
LD
= X, V
DD
= Max.,
V
IN
> V
IH
or < V
IL
, f = f
MAX
(2)
275
250
260
225
235
mA
I
SB1
CMOS Standby Power
Supply Current
Device Deselected, Outputs Open,
V
DD
= Max., V
IN
> V
HD
or < V
LD
,
f = 0
(2,3)
40
40
45
40
45
mA
I
SB2
Clock Running Power
Supply Current
Device Deselected, Outputs Open,
V
DD
= Max., V
IN
> V
HD
or < V
LD
,
f = f
MAX
(2,3)
105
100
110
95
105
mA
I
SB3
Idle Power
Supply Current
Device Selected, Outputs Open,
CEN
> V
IH
, V
DD
= Max.,
V
IN
> V
HD
or < V
LD
, f = f
MAX
(2,3)
40
40
45
40
45
mA
5282 tbl 22
Input Rise/Fall Times
Input Timng Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
0 to 3V
2ns
1.5V
1.5V
Figure 1
5282 tbl 23
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V3557S85BGI | 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs |
| IDT71V3559S | 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs |
| IDT71V3559S85BG | 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs |
| IDT71V3559S85BGI | 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs |
| IDT71V3559S85BQ | 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT71V3557S85BG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤 |
| IDT71V3557S85BGI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT71V3557S85BGI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT71V3557S85BQ | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標準包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應商設備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI |
| IDT71V3557S85BQ8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標準包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應商設備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。