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參數(shù)資料
| 型號： | IDT7134LA25FI |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 4K x 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
| 中文描述： | 4K X 8 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, CQFP48 |
| 封裝： | CERAMIC, FP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 5/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 160K |
| 代理商： | IDT7134LA25FI |
5
IDT7134SA/LA
High-Speed 4K x 8 Dual-Port Static SRAM Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
V
CC
CE
DATA RETENTION MODE
4.5V
4.5V
V
DR
≥
2V
V
DR
V
IH
V
IH
t
CDR
t
R
2720 drw 05
Data Retention Characteristics Over All Temperature Ranges
(LA Version Only) V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
CC
- 0.2V
Data Retention Waveform
AC Test Conditions
Figure 1. AC Output Test Load
Figure 2. Output Test Load
(for t
LZ
, t
HZ
, t
WZ
, t
OW
)
*Including scope and jig
+5V
1250
30pF
775
DATA
OUT
2720 drw 06
,
+5V
1250
5pF *
775
DATA
OUT
2720 drw 07
,
NOTES:
1. V
CC
= 2V, T
A
= +25°C, and are not production tested.
2. t
RC
= Read Cycle Time.
3. This parameter is guaranteed by device characterization, but not production tested.
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
GND to 3.0V
5ns
1.5V
1.5V
Figures 1 and 2
2720 tbl 08
Symbol
Parameter
Test Condition
Min.
Typ.
(1)
Max.
Unit
V
DR
V
CC
for Data Retention
V
CC
= 2V
2.0
___
___
V
I
CCDR
Data Retention Current
CE
> V
HC
V
IN
> V
HC
or < V
LC
MIL. & IND.
___
100
4000
μA
COM'L.
___
100
1500
t
CDR
(3)
Chip Deselect to Data Retention Time
0
___
___
ns
t
R
(3)
Operation Recovery Time
t
RC
(2)
___
___
ns
2720 tbl 07
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7134SA70FI | HIGH-SPEED 4K x 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
| IDT7134SA70JI | HIGH-SPEED 4K x 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
| IDT7134SA70L48I | HIGH-SPEED 4K x 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
| IDT7134LA25JI | HIGH-SPEED 4K x 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
| IDT7134LA25L48I | HIGH-SPEED 4K x 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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