參數(shù)資料
型號： IDT71256L35PI
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： SRAM
英文描述： 32K X 8 STANDARD SRAM, 35 ns, PDIP28
封裝： 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
文件頁數(shù)： 8/10頁
文件大?。?/td> 108K
代理商： IDT71256L35PI
6.42
IDT71256S/L
CMOS Static RAM 256K (32K x 8-Bit)
Military, Commercial, and Industrial Temperature Ranges
7
NO
T RECOMMENDED
FOR
NEW
DESIGNS
Timing Waveform of Read Cycle No. 2(1,2,4)
NOTES:
1.
WE is HIGH for Read Cycle.
2. Device is continuously selected,
CS is LOW.
3. Address valid prior to or coincident with
CS transition LOW.
4.
OE is LOW.
5. Transition is measured ±200mV from steady state.
Timing Waveform of Read Cycle No. 1(1)
ADDRESS
CS
OE
DATAOUT
tRC
tAA
tOH
tOE
tACS
tCLZ (5)
tOLZ (5)
2946 drw 07
tCHZ(5)
tOHZ(5)
2946 drw 08
ADDRESS
DATAOUT
tRC
tAA
tOH
,
Timing Waveform of Read Cycle No. 2(1,3,4)
CS
DATAOUT
tACS
tCLZ (5)
2946 drw 09
tCHZ(5)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT7140SA25PFG HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
7140LA25PFG 1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, PQFP64
7140LA55CGI 1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 55 ns, CDIP48
7140SA25PFGI 1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, PQFP64
7140LA25JGI 1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, PQCC52
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT71256L35TDB 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述: 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 28CDIP
IDT71256L35Y 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 28SOJ RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT71256L35Y/2996 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 28SOJ RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
IDT71256L35Y8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 28SOJ RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT71256L35YG 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 28SOJ RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*