參數(shù)資料
型號(hào)： IDT71256L35PI
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類(lèi)： SRAM
英文描述： 32K X 8 STANDARD SRAM, 35 ns, PDIP28
封裝： 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
文件頁(yè)數(shù)： 7/10頁(yè)
文件大?。?/td> 108K
代理商： IDT71256L35PI
6
IDT71256S/L
CMOS Static RAM 256K (32K x 8-Bit)
Military, Commercial, and Industrial Temperature Ranges
NO
T RECOMMENDED
FOR
NEW
DESIGNS
AC Electrical Characteristics (VCC = 5.0V ± 10%, Military Temperature Ranges)
NOTES:
1. -55° to +125°C temperature range only.
2. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
Symbol
Parameter
71256S55(1)
71256L55
(1)
71256S70(1)
71256L70
(1)
71256S85(1)
71256L85
(1)
71256S100(1)
71256L100
(1)
Unit
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Read Cycle
tRC
Read Cycle Time
55
____
70
____
85
____
100
____
ns
tAA
Address Access Time
____
55
____
70
____
85
____
100
ns
tACS
Chip Select Access Time
____
55
____
70
____
85
____
100
ns
tCLZ(2)
Chip Select to Output in Low-Z
5
____
5
____
5
____
5
____
ns
tCHZ
(2)
Chip Desele ct to Output in High-Z
____
25
____
30
____
35
____
40
ns
tOE
Output Enable to Output Valid
____
25
____
30
____
35
____
40
ns
tOLZ(2)
Output Enab le to Output in Low-Z
0
____
0
____
0
____
0
____
ns
tOHZ(2)
Output Disab le to Output in High-Z
0
25
0
30
____
35
____
40
ns
tOH
Output Hold from Address Change
5
____
5
____
5
____
5
____
ns
Write Cycle
tWC
Write Cycle Time
55
____
70
____
85
____
100
____
ns
tCW
Chip Select to End-of-Write
50
____
60
____
70
____
80
____
ns
tAW
Address Valid to End-of-Write
50
____
60
____
70
____
80
____
ns
tAS
Address Set-up Time
0
____
0
____
0
____
0
____
ns
tWP
Write Pulse Width
40
____
45
____
50
____
55
____
ns
tWR
Write Recovery Time
0
____
0
____
0
____
0
____
ns
tDW
Data to Write Time Overlap
25
____
30
____
35
____
40
____
ns
tWHZ(2)
Write Enab le to Output in High-Z
____
25
____
30
____
35
____
40
ns
tDH
Data Hold from Write Time (
WE)0
____
0
____
0
____
0
____
ns
tOW(2)
Output Active from End-of-Write
5
____
5
____
5
____
5
____
ns
2946 tbl 13
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT7140SA25PFG HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
7140LA25PFG 1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, PQFP64
7140LA55CGI 1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 55 ns, CDIP48
7140SA25PFGI 1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, PQFP64
7140LA25JGI 1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, PQCC52
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IDT71256L35YG 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 28SOJ RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類(lèi)型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):557-1461-6
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