參數(shù)資料
型號(hào)： IDT70V7519S166DRI
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： HIGH-SPEED 3.3V 256K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
中文描述： 256K X 36 DUAL-PORT SRAM, 12 ns, PQFP208
封裝： PLASTIC, QFP-208
文件頁(yè)數(shù)： 5/22頁(yè)
文件大小： 490K
代理商： IDT70V7519S166DRI
6.42
IDT70V7519S
High-Speed 256K x 36 Synchronous Bank-Switchable Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
13
tSC
tHC
CE0(B1)
ADDRESS(B1)
A0
A1
A2
A3
A4
A5
tSA
tHA
CLK
Q0
Q1
Q3
DATAOUT(B1)
tCH2
tCL2
tCYC2
ADDRESS(B2)
A0
A1
A2
A3
A4
A5
tSA
tHA
CE0(B2)
DATAOUT(B2)
Q2
Q4
tCD2
tCKHZ
tCD2
tCKLZ
tDC
tCKHZ
tCD2
tCKLZ
tSC
tHC
tCKHZ
tCKLZ
tCD2
A6
tDC
tSC
tHC
tSC
tHC
5618 drw 08
Timing Waveform of a Multi-Device Pipelined Read(1,2)
NOTES:
1. B1 Represents Device #1; B2 Represents Device #2. Each Device consists of one IDT70V7519 for this waveform,
and are setup for depth expansion in this example. ADDRESS(B1) = ADDRESS(B2) in this situation.
2.
BEn, OE, and ADS = VIL; CE1(B1), CE1(B2), R/W, CNTEN, and REPEAT = VIH.
Timing Waveform of a Multi-Device Flow-Through Read(1,2)
tSC
tHC
CE0(B1)
ADDRESS(B1)
A0
A1
A2
A3
A4
A5
tSA
tHA
CLK
5618 drw 09
D0
D3
tCD1
tCKLZ
tCKHZ
(1)
D1
DATAOUT(B1)
tCH1
tCL1
tCYC1
(1)
ADDRESS(B2)
A0
A1
A2
A3
A4
A5
tSA
tHA
CE0(B2)
DATAOUT(B2)
D2
D4
tCD1
tCKHZ
tDC
tCD1
tCKLZ
tSC
tHC
(1)
tCKHZ
(1)
tCKLZ
(1)
tCD1
A6
tDC
tSC
tHC
tSC
tHC
D5
tCD1
tCKLZ
(1)
tCKHZ
(1)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70V7519S200DR HIGH-SPEED 3.3V 256K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70V7519S200DRI HIGH-SPEED 3.3V 256K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70V9199L7PF HIGH-SPEED 3.3V 128K x9/x8 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V9199L7PFI HIGH-SPEED 3.3V 128K x9/x8 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V9199L9PF HIGH-SPEED 3.3V 128K x9/x8 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM
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參數(shù)描述
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IDT70V7519S200BCG 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 9MBIT 200MHZ 256CABGA
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