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參數(shù)資料
| 型號： | IDT70V28L20PFI |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 64K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 64K X 16 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, PQFP100 |
| 封裝： | 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 4/17頁 |
| 文件大?。?/td> | 152K |
| 代理商： | IDT70V28L20PFI |
IDT70V28L
High-Speed 3.3V 64K x 16 Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
4
)4)$5556*4'78
#
)4)$5649$
!#
NOTES:
1.
2.
3.
Chip Enable references are shown above with the actual
CE
0
and CE
1
levels;
CE
is a reference only.
'H' = V
IH
and 'L' = V
IL
.
CMOS standby requires 'X' to be either < 0.2V or >V
CC
-0.2V.
)4)$556:'78
NOTES:
1.
2. Refer to Truth Table I - Chip Enable.
A
0L
—
A
15L
≠
A
0R
—
A
15R
NOTES:
1. There are eight semaphore flags written to I/O
0
and read fromall the I/Os (I/O
0
-I/O
15
). These eight semaphore flags are addressed by A
0
-A
2
.
2. Refer toTruth Table I -
Chip Enable
.
CE
CE
0
CE
1
Mode
L
V
IL
V
IH
Port Selected (TTL Active)
< 0.2V
>V
CC
-0.2V
Port Selected (CMOS Active)
H
V
IH
X
Port Deselected (TTL Inactive)
X
V
IL
Port Deselected (TTL Inactive)
>V
CC
-0.2V
X
(3)
Port Deselected (CMOS Inactive)
X
(3)
<0.2V
Port Deselected (CMOS Inactive)
4849tbl 06
Inputs
(1)
Outputs
Mode
CE
(2)
R/
W
OE
UB
LB
SEM
I/O
8-15
I/O
0-7
H
X
X
X
X
H
High-Z
High-Z
Deselected: Power-Down
X
X
X
H
H
H
High-Z
High-Z
Both Bytes Deselected
L
L
X
L
H
H
DATA
IN
High-Z
Write to Upper Byte Only
L
L
X
H
L
H
High-Z
DATA
IN
Write to Lower Byte Only
L
L
X
L
L
H
DATA
IN
DATA
IN
Write to Both Bytes
L
H
L
L
H
H
DATA
OUT
High-Z
Read Upper Byte Only
L
H
L
H
L
H
High-Z
DATA
OUT
Read Lower Byte Only
L
H
L
L
L
H
DATA
OUT
DATA
OUT
Read Both Bytes
X
X
H
X
X
X
High-Z
High-Z
Outputs Disabled
4849 tbl 07
Inputs
(1)
Outputs
Mode
CE
(2)
R/
W
OE
UB
LB
SEM
I/O
8-15
I/O
0-7
H
H
L
X
X
L
DATA
OUT
DATA
OUT
Read Data in Semaphore Flag
X
H
L
H
H
L
DATA
OUT
DATA
OUT
Read Data in Semaphore Flag
H
↑
X
X
X
L
DATA
IN
DATA
IN
Write I/O
0
into Semaphore Flag
X
↑
X
H
H
L
DATA
IN
DATA
IN
Write I/O
0
into Semaphore Flag
L
X
X
L
X
L
______
______
Not Allowed
L
X
X
X
L
L
______
______
Not Allowed
4849 tbl 08
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V3389S6BC | HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| IDT70V3389S6BCI | HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| IDT70V3389S6BF | HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| IDT70V3389S6BFI | HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| IDT70V3389S6PRF | HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IDT70V3319S133BCGI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
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