參數(shù)資料
型號： IDT70T3599S-200DR
廠商： Integrated Device Technology, Inc.
英文描述： HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
中文描述： 高速與3.3V 2.5V的256/128/64K × 36 SYNCHRONOU S雙，端口靜態(tài)RAM或2.5V的接口
文件頁數(shù)： 14/28頁
文件大?。?/td> 442K
代理商： IDT70T3599S-200DR
6.42
IDT70T3519/99/89S
High-Speed 2.5V 256/128/64K x 36 Dual-Port Synchronous Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of a Multi-Device Pipelined Read
(1,2)
t
SC
t
HC
CE
0(B1)
ADDRESS
(B1)
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
t
SA
t
HA
CLK
Q
0
Q
1
Q
3
DATA
OUT(B1)
t
CH2
t
CL2
t
CYC2
ADDRESS
(B2)
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
t
SA
t
HA
CE
0(B2)
DATA
OUT(B2)
Q
2
Q
4
t
CD2
t
CD2
t
CKHZ
t
CD2
t
CKLZ
t
DC
t
CKHZ
t
CD2
t
CKLZ
t
SC
t
HC
t
CKHZ
t
CKLZ
t
CD2
A
6
A
6
t
DC
t
SC
t
HC
t
SC
t
HC
5666 drw 07
NOTES:
1. B1 Represents Device #1; B2 Represents Device #2. Each Device consists of one IDT70T3519/99/89 for this waveform,
and are setup for depth expansion in this example. ADDRESS
(B1)
= ADDRESS
(B2)
in this situation.
2.
BE
n
,
OE
, and
ADS
= V
IL
; CE
1(B1)
, CE
1(B2)
, R/
W
,
CNTEN
, and
REPEAT
= V
IH
.
Timing Waveform of a Multi-Device Flow-Through Read
(1,2)
t
CYC1
t
SC
t
HC
CE
0(B1)
ADDRESS
(B1)
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
t
SA
t
HA
CLK
5666 drw 08
D
0
D
3
t
CD1
t
CKLZ
t
CKHZ
(1)
(1)
D
1
DATA
OUT(B1)
t
CH1
t
CL1
(1)
ADDRESS
(B2)
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
t
SA
t
HA
CE
0(B2)
DATA
OUT(B2)
D
2
D
4
t
CD1
t
CD1
t
CKHZ
t
DC
t
CD1
t
CKLZ
t
SC
t
HC
(1)
t
CKHZ
(1)
t
CKLZ
(1)
t
CD1
A
6
A
6
t
DC
t
SC
t
HC
t
SC
t
HC
D
5
t
CD1
t
CKLZ
(1)
t
CKHZ
(1)
相關PDF資料
PDF描述
IDT70T3599S200DRI HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70T3599S-200DRI HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70T653M HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE
IDT70T653MS10BC HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE
IDT70T653MS10BCI HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE
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參數(shù)描述
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IDT70T35L20PF 功能描述:IC SRAM 144KBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT70T35L20PF8 功能描述:IC SRAM 144KBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT70T35L25BF 功能描述:IC SRAM 144KBIT 25NS 100FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT70T35L25BFI 功能描述:IC SRAM 144KBIT 25NS 100FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
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