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參數(shù)資料
| 型號： | IDT70825L35G |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 8K x 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩) |
| 中文描述： | 8K X 16 STANDARD SRAM, 35 ns, CPGA84 |
| 封裝： | PGA-84 |
| 文件頁數(shù)： | 12/21頁 |
| 文件大?。?/td> | 319K |
| 代理商： | IDT70825L35G |
6.31
12
IDT70825S/L
HIGH-SPEED 8K x 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
RANDOM ACCESS PORT WAVEFORM: READ CYCLES
(1,2)
NOTES:
1. R/
W
is HIGH for Read cycle.
2. Address valid prior to or coincident with
CE
transition LOW; otherwise t
AA
is the limiting parameter.
RANDOM ACCESS PORT WAVEFORM: READ CYCLES BUFFER COMMAND MODE
ADDR
t
RC
t
AA
t
OH
Valid Data Out
t
CHZ
t
OHZ
t
BE
t
BLZ
t
OE
t
OLZ
,
t
ACS
t
CLZ
t
BHZ
I/O
OUT
3016 drw 14
(1)
NOTE:
1.
CE
= V
IH
when
CMD
= V
IL
.
ADDR
t
RC
t
AA
t
OH
Valid Data Out
t
CHZ
t
OHZ
t
BE
t
BLZ
t
OE
t
OLZ
,
t
ACS
t
CLZ
t
BHZ
I/O
OUT
3016 drw 13
(2)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70825L35GB | HIGH-SPEED 8K x 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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