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參數資料
| 型號： | ICS841S012DKILFT |
| 廠商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件頁數： | 8/23頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC FREQ SYNTHESIZER 56VFQFN |
| 標準包裝： | 1,000 |
| 系列： | HiPerClockS™, PCI Express® (PCIe) |
| 類型： | 時鐘/頻率合成器，多路復用器 |
| PLL： | 是 |
| 主要目的： | PCI Express（PCIe） |
| 輸入： | LVCMOS，LVTTL，晶體 |
| 輸出： | HCSL，LVCMOS，LVTTL |
| 電路數： | 1 |
| 比率 - 輸入:輸出： | 2:12 |
| 差分 - 輸入:輸出： | 是/無 |
| 頻率 - 最大： | 250MHz |
| 電源電壓： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 56-VFQFN 裸露焊盤 |
| 供應商設備封裝： | 56-VFQFP-EP（8x8） |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |
ICS841S012BKI REVISION A NOVEMBER 10, 2009
16
2009 Integrated Device Technology, Inc.
ICS841S012I Data Sheet
CRYSTAL-TO-0.7V DIFFERENTIAL HCSL/LVCMOS FREQUENCY SYNTHESIZER
POWER CONSIDERATIONS
This section provides information on power dissipation and junction temperature for the ICS841S012I.
Equations and example calculations are also provided.
1. Power Dissipation.
The total power dissipation for the ICS841S012I is the sum of the core power plus the power dissipated in the load(s).
The following is the power dissipation for V
DD = 3.3V + 5% = 3.465V, which gives worst case results.
Core and HCSL Output Power Dissipation
The maximum I
DD current at 85° is 300mA. The HCSL output current (17mA per output pair) is included in this value. For power
considerations, this output current is treated separately from the core current, so for power calculations,
I
DD
= 300mA - 2 * 17mA = 266mA.
Power (core) = V
DD_MAX * (IDD + IDDA ) = 3.465V * (266mA + 20mA) = 991.0mW
Power (HCSL) = 44.5mW/Load Output Pair
If all outputs are loaded, the total power is 2 * 44.5mW = 89mW
LVCMOS Output Power Dissipation
Dynamic Power Dissipation at 200MHz (QB, QC)
Power (200MHz) = C
PD * Frequency * (VDDO)
2
= 4pF * 200MHz * (3.465V)2 = 9.6mW per output
Total Power (200MHz) = 9.6mW * 8 = 76.7mW
Dynamic Power Dissipation at 25MHz (REF_OUT)
Power (25MHz) = C
PD * Frequency * (VDDO)
2
= 4pF * 25MHz * (3.465V)2 = 1.2mW per output
Total Power (25MHz) = 1.2mW * 2 = 2.4mW
Total Power Dissipation
Total Power
= Power (core) + Power (HCSL) + Total Power (200MHz) + Total Power (25MHz)
= 991.0mW + 89mW + 76.7mW + 2.4mW
= 1159mW
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VE-BN0-MY-S | CONVERTER MOD DC/DC 5V 50W |
| VE-BN0-IU | CONVERTER MOD DC/DC 5V 200W |
| VE-B1L-MW-F2 | CONVERTER MOD DC/DC 28V 100W |
| VE-B1K-MW-F4 | CONVERTER MOD DC/DC 40V 100W |
| VE-B1J-MW-F2 | CONVERTER MOD DC/DC 36V 100W |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| ICS841S012I | 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:Crystal-to-0.7V Differential HCSL/LVCMOS Frequency Synthesizer |
| ICS841S01BG | 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:PCI EXPRESS⑩ CLOCK GENERATOR |
| ICS841S01BGLF | 功能描述:IC CLK GENERATOR PLL 16-TSSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 時鐘/計時 - 專用 系列:HiPerClockS™, PCI Express® (PCIe) 標準包裝:1 系列:- 類型:時鐘/頻率發(fā)生器，多路復用器 PLL:是 主要目的:存儲器，RDRAM 輸入:晶體 輸出:LVCMOS 電路數:1 比率 - 輸入:輸出:1:2 差分 - 輸入:輸出:無/是 頻率 - 最大:400MHz 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） 供應商設備封裝:16-TSSOP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:296-6719-6 |
| ICS841S01BGLFT | 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:PCI EXPRESS⑩ CLOCK GENERATOR |
| ICS841S01BGT | 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:PCI EXPRESS⑩ CLOCK GENERATOR |
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