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參數(shù)資料
| 型號： | IC42S81600L-6TI(G) |
| 英文描述： | 4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 4（2）M中的x 8（16）位× 4銀行（128 - Mbit的）同步動態(tài)RAM |
| 文件頁數(shù)： | 9/69頁 |
| 文件大?。?/td> | 1118K |
| 代理商： | IC42S81600L-6TI(G) |
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IC42S81600/IC42S81600L
IC42S16800/IC42S16800L
Integrated Circuit Solution Inc.
17
DR023-0E 6/11/2004
MODE REGISTER
00
0
00
11
10
9
8
76
5
4
3
2
1
0
Burst Read and Burst Write
X = Don’t care
LTMODE
WT
BL
Burst length
Bits2 - 0
WT = 1
WT = 0
000
001
010
011
100
101
110
111
1
2
4
8
R
Fullpage
1
2
4
8
R
Wrap type
0
1
Sequential
Interleave
Latency
Bits 6-4
CAS Iatency
000
001
010
011
100
101
110
111
R
2
3
R
mode
Remark R : Reserved
13 12
0
00
1
13 12 11
10
98
5
4
3
21
0
JEDEC Standard Test Set
x
1
0
11
10
9
8
76
5
4
32
1
0
Burst Read and Single Write (for Write Through Cache)
LTMODE
WT
BL
7
6
0
12
13
x
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IC42S81600-7TIG | 4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IC42S81600L-7TIG | 4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| ISO120 | Precision Low Cost ISOLATION AMPLIFIER |
| ISO120BG | Precision Low Cost ISOLATION AMPLIFIER |
| ICS85411AMT | Low Skew, 1-TO-2 DIFFERENTIAL-TO-LVDS FANOUT BUFFER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IC42S81600L-7T | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IC42S81600L-7T(G) | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IC42S81600L-7TG | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IC42S81600L-7TI | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IC42S81600L-7TI(G) | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
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