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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IC42S81600-8T(G) |
| 英文描述： | 4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 4（2）M中的x 8（16）位× 4銀行（128 - Mbit的）同步動(dòng)態(tài)RAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 68/69頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1118K |
| 代理商： | IC42S81600-8T(G) |
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IC42S81600/IC42S81600L
IC42S16800/IC42S16800L
8
Integrated Circuit Solution Inc.
DR023-0E 6/11/2004
AC TEST CONDITIONS
(At VDD = VDDQ = 3.3 ± 0.3V, VSS = VSSQ = 0V , unless otherwise noted)
Parameter
Rating
Unit
AC input Levels (VIH /VIL )
2.0 / 0.8
V
Input timing reference level /Output timing reference level
1.4
V
Input rise and fall time
1
ns
Output load condition
50
pF
VDDQ
VOUT
Device
Under
Test
50PF
Z = 50
Output Load Conditions
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IC42S81600-8TG | 4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IC42S81600-8TI | 4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IC42S81600L-6T | 4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IC42S81600L-6T(G) | 4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IC42S81600L-6TG | 4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IC42S81600-8TI | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IC42S81600-8TI(G) | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IC42S81600-8TIG | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
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| IC42S81600L-6T | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
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