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PSMN5R0-80PS127

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PSMN5R0-80PS127
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業(yè)執(zhí)照
245
NXP
SOT78
1521+
-
全新原裝現貨

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET N CH 80V 100A 3-TO-220AB

PSMN5R0-80PS127 技術參數

PSMN5R0-80PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:101nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:6793pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:270W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.7 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 PSMN5R0-80BS,118 功能描述:MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:101nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:6793pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:270W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.1 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標準包裝:1 PSMN5R0-30YL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 91A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:91A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:29nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1760pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:61W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 PSMN5R0-100XS,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 67.5A TO-220F 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:67.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:153nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:9900pF @ 50V 功率 - 最大值:63.8W 工作溫度:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 全封裝，隔離接片供應商器件封裝:TO-220F 標準包裝:50 PSMN5R0-100PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:170nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:9900pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:338W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 PSMN5R6-60YLX PSMN5R8-30LL,115 PSMN5R8-40YS,115 PSMN5R9-30YL,115 PSMN6R0-25YLB,115 PSMN6R0-25YLDX PSMN6R0-30YL,115 PSMN6R0-30YLB,115 PSMN6R0-30YLDX PSMN6R1-25MLDX PSMN6R1-30YLDX PSMN6R3-120ESQ PSMN6R3-120PS PSMN6R4-30MLDX PSMN6R5-25YLC,115 PSMN6R5-30MLDX PSMN6R5-80BS,118 PSMN6R5-80PS,127