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PMDR-0

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
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  • 操作
  • PMDR-0
    PMDR-0

    PMDR-0

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Panduit Corp

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
  • 1
PMDR-0 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 電線鑒定 POLYESTER FILM #0 TAPE 8’ ROLL
  • RoHS
  • 制造商
  • TE Connectivity / Q-Cees
  • 產品
  • Labels and Signs
  • 類型
  • 材料
  • Vinyl
  • 顏色
  • Blue
  • 寬度
  • 0.625 in
  • 長度
  • 1 in
PMDR-0 技術參數(shù)
  • PMDPB95XNE2X 功能描述:MOSFET 2 N-CH 30V 2.7A 6HUSON 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:標準 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.7A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):99 毫歐 @ 2.8A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):4.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):258pF @ 15V 功率 - 最大值:510mW(Ta) 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:6-HUSON(2x2) 標準包裝:1 PMDPB95XNE,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.4A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):120 毫歐 @ 2A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):2.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):143pF @ 15V 功率 - 最大值:475mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:6-HUSON(2x2) 標準包裝:1 PMDPB85UPE,115 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6HUSON 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應 FET 類型:2 個 P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.9A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):103 毫歐 @ 1.3A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):8.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):514pF @ 10V 功率 - 最大值:515mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:DFN2020-6 標準包裝:1 PMDPB80XP,115 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 2.7A HUSON6 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應 FET 類型:2 個 P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平柵極,1.8V 驅動 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.7A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):102 毫歐 @ 2.7A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):8.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):550pF @ 10V 功率 - 最大值:485mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:DFN2020-6 標準包裝:1 PMDPB70XPE,115 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):79 毫歐 @ 2A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):7.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):600pF @ 10V 功率 - 最大值:515mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:DFN2020-6 標準包裝:1 PMDR-5 PMDR-50-59 PMDR-6 PMDR-60-69 PMDR-7 PMDR-70-79 PMDR-8 PMDR-80-89 PMDR-9 PMDR-90-99 PMDR-A PMDR-B PMDR-BL PMDR-BLK PMDR-BRN PMDR-C PMDR-D PMDR-E
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