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EPC22C-20

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  • EPC22C-20
    EPC22C-20

    EPC22C-20

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • ALTERA

  • PLCC-20

  • 13+

  • -

  • 全新原裝100%正品保證質(zhì)量

  • EPC22C-20
    EPC22C-20

    EPC22C-20

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • ALTERA

  • PLCC-20

  • 13+

  • -

  • 全新原裝100%正品保證質(zhì)量

  • EPC22C-20
    EPC22C-20

    EPC22C-20

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • ALTERA

  • PLCC-20

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理，原裝正品現(xiàn)貨！

  • EPC22C-20
    EPC22C-20

    EPC22C-20

  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人：張先生/雷小姐

    電話：0755-83795896

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道賽格廣場55樓5566室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 36000

  • ALTERA/阿爾特拉

  • PLCC-20

  • 21+原廠授權(quán)

  • -

  • ★原廠授權(quán)★價超代理★

  • EPC22C-20
    EPC22C-20

    EPC22C-20

  • 深圳市柏新電子科技有限公司
    深圳市柏新電子科技有限公司

    聯(lián)系人：林小姐//方先生

    電話：0755-88377780010-58488628

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處：北京海春路中發(fā)大廈60淀區(qū)知

  • 85

  • ALTERA

  • PLCC-20

  • 2012+

  • -

  • 只做原裝正品。

  • EPC22C-20
    EPC22C-20

    EPC22C-20

  • 深圳市信通吉電子有限公司
    深圳市信通吉電子有限公司

    聯(lián)系人：馮

    電話：17841084408

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道深南中路3006號佳和大廈B座20

  • 8800

  • ALTERA

  • PLCC-20

  • 19+

  • -

  • 香港總公司18年專業(yè)電子元器件現(xiàn)貨供應商

  • 1/1頁 40條/頁 共12條 
  • 1
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EPC22C-20 技術參數(shù)
  • EPC2111ENGRT 功能描述:TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID 制造商:epc 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:GaNFET（氮化鎵） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:16A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 15A，5V，8 毫歐 @ 15A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.2nC @ 5V，5.7nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:230pF @ 15V，590pF @ 15V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具 標準包裝:1 EPC2111 功能描述:TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID 制造商:epc 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:GaNFET（氮化鎵） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:16A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 15A，5V，8 毫歐 @ 15A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.2nC @ 5V，5.7nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:230pF @ 15V，590pF @ 15V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具 標準包裝:1 EPC2110ENGRT 功能描述:TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）共漏 FET 功能:GaNFET（氮化鎵） 漏源極電壓（Vdss）:120V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.4A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 4A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 700μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.8nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:80pF @ 60V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具 標準包裝:1 EPC2110 功能描述:MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 N 溝道（雙）共漏 FET 功能:GaNFET（氮化鎵） 漏源電壓（Vdss）:120V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.4A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 4A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 700μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.8nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:80pF @ 60V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 標準包裝:1 EPC2108ENGRT 功能描述:TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:3 N 溝道（半橋 + 同步自舉） FET 功能:GaNFET（氮化鎵） 漏源極電壓（Vdss）:60V，100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.7A，500mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:190 毫歐 @ 2.5A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 200μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.22nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:22pF @ 30V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具 標準包裝:1 EPC2TI32 EPC2TI32N EPC4QC100 EPC4QC100N EPC4QI100 EPC4QI100N EPC8002 EPC8002ENGR EPC8003ENGR EPC8004 EPC8004ENGR EPC8005ENGR EPC8007ENGR EPC8008ENGR EPC8009 EPC8009ENGR EPC8010 EPC8010ENGR
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