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AON4420L AON4420

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AON4420L AON4420 技術(shù)參數(shù)
  • AON4420 功能描述:MOSFET N-CH 30V 10A SFN3X2 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):10A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):20 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):12nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):660pF @ 15V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(3x2) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON4407L_003 功能描述:MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.8V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):12V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):9A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):20 毫歐 @ 9A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):850mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):23nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2100pF @ 6V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(3x2) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON4407L_002 功能描述:MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.8V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):12V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):9A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):20 毫歐 @ 9A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):850mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):23nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2100pF @ 6V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(3x2) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON4407L 功能描述:MOSFET P-CH DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):12V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):9A(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):850mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):23nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2100pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.5W(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):20 毫歐 @ 9.5A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(3x2) 封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON4407_003 功能描述:MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.8V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):12V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):9A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):20 毫歐 @ 9A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):850mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):23nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2100pF @ 6V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(3x3) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON4807_001 AON4807_101 AON5802A AON5802ALS AON5802B AON5802B_101 AON5810 AON5816 AON5820 AON5820_101 AON6144 AON6152 AON6154 AON6156 AON6160 AON6162 AON6200L AON6202
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