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參數(shù)資料
| 型號： | IBM13V51649AN |
| 廠商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 512K x 64 SGRAM SO DIMM（Small Outline Dual In-line Memory Modules）(512K x 64 144腳小外形雙列直插同步圖形RAM模塊) |
| 中文描述： | 為512k × 64 SGRAM蘇內(nèi)存（小外形雙列直插式內(nèi)存模塊）（為512k × 64 144腳小外形雙列直插同步圖形內(nèi)存模塊） |
| 文件頁數(shù)： | 7/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 224K |
| 代理商： | IBM13V51649AN |
IBM13V25649AN IBM13V51649AN
256K/512K x 64 SGRAM SO DIMM
88H4121.E24358
Revised 1/98
IBM Corporation. All rights reserved.
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Capacitance
(T
A
= 25
°
C, f=1MHz, V
CC
= 3.3V
±
0.3V)
Symbol
Parameter
256Kx64
512Kx64
Units
C
I1
Input Capacitance (A0 - A9)
21
42
pF
C
I2
Input Capacitance (CKE)
20
34
pF
C
I3
Input Capacitance (CS0, CS1)
20
21
pF
C
I4
Input Capacitance (RAS, CAS)
20
38
pF
C
I5
Input Capacitance (WE)
20
39
pF
C
I6
Input Capacitance (DSF)
20
39
pF
C
I7
Input Capacitance (CK0, CK1)
17
23
pF
C
I8
Input Capacitance (DQMB0 - DQMB7)
10
18
pF
C
IO1
Input/Output Capacitance (DQ0 - DQ63)
11
18
pF
Output Characteristics
(T
A
= 0 to +70C, V
CC
= 3.3V
±
0.3V)
Symbol
Parameter
256Kx64
512Kx64
Min.
Max.
Min.
Max.
Units Notes
I
I(L)
Input Leakage Current, any input
(0.0V
≤
V
IN
≤
3.6V), All Other Pins
Not Under Test = 0V
All Inputs
-6
6
-12
12
μ
A
CLK0
-6
6
-6
6
CLK1
-
-
-6
6
CS0
-6
6
-6
6
CS1
-
-
-6
6
DQMB0, - 7
-3
3
-6
6
DQ0 - 63
-3
3
-6
6
I
O(L)
Output Leakage Current
(D
OUT
is disabled, 0.0V
≤
V
OUT
≤
3.6V)
DQ0 - 63
-3
3
-6
6
μ
A
V
OH
Output Level
Output “H” Level Voltage (I
OUT
= -2.0mA)
2.4
V
DD
2.4
V
CC
V
1
V
OL
Output Level
Output “L” Level Voltage (I
OUT
= +2.0mA)
0.0
0.4
0.0
0.4
1. See DC output load circuit.
Output
1200
50pF
3.3 V
870
VOH (DC) = 2.4V, IOH = -2mA
VOL (DC) = 0.4V, IOL = 2mA
DC Output Load Circuit
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