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參數(shù)資料
| 型號： | IBM11N4845BB |
| 廠商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 4M x 72 Chip-Kill Protect ECC-on-DIMM Module(4M x 72 帶糾錯代碼保護(hù)的小外形雙列直插動態(tài)RAM模塊) |
| 中文描述： | 4米× 72片，殺死保護(hù)ECC的上內(nèi)存模塊（4米× 72帶糾錯代碼保護(hù)的小外形雙列直插動態(tài)內(nèi)存模塊） |
| 文件頁數(shù)： | 21/29頁 |
| 文件大?。?/td> | 542K |
| 代理商： | IBM11N4845BB |
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IBM11N4845BB
IBM11N4845CB
Preliminary
4M x 72 Chip-Kill Protect ECC-on-DIMM Module
75H5485
GA14-4640-00
Revised 11/96
IBM Corporation. All rights reserved.
Use is further subject to the provisions at the end of this document.
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EDO Page Mode Read Modify Write Cycle
Address
RAS
WE
OE
D
OUT
D
IN
D
IN
D
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t
RP
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CP
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CP
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: “H” or “L”
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Column 1
Row
Column 2
Column N
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RCD
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CRP
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CPA
CAS
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WRP
NOTE 1
t
WRH
NOTE 1:
Implementing WE at RAS time During a Read or Write Cycle is optional.
Doing so will facilitate compatibility with future EDO DRAMs.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBM11N4845CB | 4M x 72 Chip-Kill Protect ECC-on-DIMM Module(4M x 72 帶糾錯代碼保護(hù)的小外形雙列直插動態(tài)RAM模塊) |
| IBM11N8645B | 8M x 64 DRAM MODULE(8M x 64動態(tài)RAM模塊) |
| IBM11N8645C | 8M x 64 DRAM MODULE(8M x 64動態(tài)RAM模塊) |
| IBM11N8735B | 8M x 72 DRAM MODULE(8M x 72動態(tài)RAM模塊) |
| IBM11N8735C | 8M x 72 DRAM MODULE(8M x 72動態(tài)RAM模塊) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IBM14H5481 | 制造商:AVED Memory Products 功能描述: |
| IBM14H5540 | 制造商:AVED MEMORY PRODUCTS 功能描述: 制造商:AVED Memory Products 功能描述: |
| IBM17R8251 | 制造商:AVED Memory Products 功能描述: |
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