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參數(shù)資料
| 型號： | IBM11N4735CB |
| 廠商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 4M x 72 DRAM Module(4M x 72 動態(tài)RAM模塊) |
| 中文描述： | 4米× 72內存（4米× 72動態(tài)內存模塊） |
| 文件頁數(shù)： | 23/31頁 |
| 文件大小： | 585K |
| 代理商： | IBM11N4735CB |
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IBM11N4645BB
IBM11N4645CB
IBM11N4735BB
IBM11N4735CB
4M x 64/72 DRAM Module
50H8036.E22441E
Revised 5/98
IBM Corporation. All rights reserved.
Use is further subject to the provisions at the end of this document.
Page 23 of 31
EDO Page Mode Read Modify Write Cycle
Address
RAS
WE
OE
D
OUT
D
IN
D
IN
D
IN
t
RP
t
CP
t
CP
t
ASR
t
RAD
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RAH
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ASC
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ASC
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RCS
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ODD
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DH
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DH
D
IN
D
OUT
: “H” or “L”
Hi-Z
Hi-Z
t
RASP
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CAS
t
HPRWC
t
CAS
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RAL
t
AWD
t
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t
AA
t
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AWD
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CWD
t
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AA
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OEA
t
OEA
t
CAC
t
CAC
t
OEA
t
OEZ
t
OEZ
t
DS
t
DS
t
DS
Column 1
Row
Column 2
Column N
t
CSH
t
OEZ
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
t
RCD
t
CAS
t
CRP
t
CPA
CAS
t
WRP
NOTE 1
t
WRH
NOTE 1:
Implementing WE at RAS time During a Read or Write Cycle is optional.
Doing so will facilitate compatibility with future EDO DRAMs.
Discontinued (9/98 - last order; 3/99 last ship)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBM11N4845BB | 4M x 72 Chip-Kill Protect ECC-on-DIMM Module(4M x 72 帶糾錯代碼保護的小外形雙列直插動態(tài)RAM模塊) |
| IBM11N4845CB | 4M x 72 Chip-Kill Protect ECC-on-DIMM Module(4M x 72 帶糾錯代碼保護的小外形雙列直插動態(tài)RAM模塊) |
| IBM11N8645B | 8M x 64 DRAM MODULE(8M x 64動態(tài)RAM模塊) |
| IBM11N8645C | 8M x 64 DRAM MODULE(8M x 64動態(tài)RAM模塊) |
| IBM11N8735B | 8M x 72 DRAM MODULE(8M x 72動態(tài)RAM模塊) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| IBM14H5481 | 制造商:AVED Memory Products 功能描述: |
| IBM14H5540 | 制造商:AVED MEMORY PRODUCTS 功能描述: 制造商:AVED Memory Products 功能描述: |
| IBM17R8251 | 制造商:AVED Memory Products 功能描述: |
| IBM17R8252 | 制造商:AVED Memory Products 功能描述: |
| IBM1805T | 制造商:Schneider Electric 功能描述:IBM1805T |
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