參數(shù)資料
型號(hào)： IBM0164405B
廠商： IBM Microeletronics
英文描述： 16M x 4 13/11 EDO DRAM(16M x 4 動(dòng)態(tài)RAM（超頁(yè)面模式并帶24條地址線，其中13條為行地址選通，11條為列地址選通）)
中文描述： 1,600 × 4 13/11 EDO公司的DRAM（1,600 × 4動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（超頁(yè)面模式并帶24條地址線，其中13條為行地址選通，11條為列地址選通））
文件頁(yè)數(shù)： 25/29頁(yè)
文件大小： 1309K
代理商： IBM0164405B
IBM0164405B
IBM0164405P
16M x 4 13/11 EDO DRAM
88H2007
GA14-4252-01
Revised 4/97
IBM Corporation. All rights reserved.
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Self Refresh Cycle (Sleep Mode)
- Low Power version only
RAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
WE
V
IH
V
IL
t
RASS
t
RPS
t
CHS
t
CRP
D
OUT
V
OH
V
OL
Hi-Z
: “H” or “L”
t
OFF
t
CP
t
CSR
t
WRH
t
WRP
t
NOTE: Address and OE are “H” or “L”
Once t
(min) is provided and RAS remains low, the DRAM will be in Self Refresh,
commonly known as “Sleep Mode.”
RPC
CAS
Discontinued (12/98 - last order; 3/99 last ship)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IBM0164405P 16M x 4 13/11 EDO DRAM(16M x 4 動(dòng)態(tài)RAM（超頁(yè)面模式并帶24條地址線，其中13條為行地址選通，11條為列地址選通）)
IBM01644F5B 16M x 8 13/11 Stacked DRAM(16M x 8 棧式動(dòng)態(tài)RAM（帶24條地址線，其中13條為行地址選通，11條為列地址選通）)
IBM0165165B 4M x 16 12/10 EDO DRAM(4M x 16 動(dòng)態(tài)RAM（超頁(yè)面模式讀寫(xiě)并帶22條地址線，其中12條為行地址選通，10條為列地址選通）)
IBM0165165P 4M x 16 12/10 EDO DRAM(4M x 16 動(dòng)態(tài)RAM（超頁(yè)面模式讀寫(xiě)并帶22條地址線，其中12條為行地址選通，10條為列地址選通）)
IBM0165405B 16M x 4 12/12 EDO DRAM(16M x 4 動(dòng)態(tài)RAM（超頁(yè)面模式并帶24條地址線，其中12條為行地址選通，12條為列地址選通）)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IBM0164405BT3D50 制造商:IBM 功能描述:20L9262
IBM0165165PT3C50 制造商:IBM 功能描述:75H3120
IBM0165805BJ3C50 制造商:IBM 功能描述:75H2806
IBM0165805BT3C60 制造商:IBM 功能描述:*
IBM0165805PT3C50 制造商:IBM 功能描述:75H3108
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