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參數(shù)資料
| 型號： | HYM71V8M635HCLT6-H |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 5.4 ns, DMA144 |
| 封裝： | SODIMM-144 |
| 文件頁數(shù)： | 3/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 145K |
| 代理商： | HYM71V8M635HCLT6-H |
PC133 SDRAM SO DIMM
Rev. 0.3/Dec. 01
12
HYM71V8M635HC(L)T6 Series
AC CHARACTERISTICS II
Note :
1. A new command can be given tRRC after self refresh exit
Parameter
Symbol
-K
-H
Unit
Note
Min
Max
Min
Max
RAS Cycle Time
Operation
tRC
60
-
65
-
ns
Auto Refresh
tRRC
60
-
65
-
ns
RAS to CAS Delay
tRCD
15
-
20
-
ns
RAS Active Time
tRAS
45
100K
45
100K
ns
RAS Precharge Time
tRP
15
-
20
-
ns
RAS to RAS Bank Active Delay
tRRD
15
-
15
-
ns
CAS to CAS Delay
tCCD
1
-
1
-
CLK
Write Command to Data-In Delay
tWTL
0
-
0
-
CLK
Data-In to Precharge Command
tDPL
2
-
2
-
CLK
Data-In to Active Command
tDAL
4
-
5
-
CLK
DQM to Data-Out Hi-Z
tDQZ
2
-
2
-
CLK
DQM to Data-In Mask
tDQM
0
-
0
-
CLK
MRS to New Command
tMRD
2
-
2
-
CLK
Precharge to Data
Output Hi-Z
CAS Latency = 3
tPROZ3
3
-
3
-
CLK
CAS Latency = 2
tPROZ2
2
-
2
-
CLK
Power Down Exit Time
tPDE
1
-
1
-
CLK
Self Refresh Exit Time
tSRE
1
-
1
-
CLK
1
Refresh Time
tREF
-
64
-
64
ms
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYM72V32656AT8-P | 32M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 6 ns, DMA168 |
| HYM76V16C755HGT4-8 | 16M X 72 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 6 ns, DMA168 |
| HYM76V16C755HGT4-S | 16M X 72 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 6 ns, DMA168 |
| HYMD264G726A4-H | 64M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184 |
| HYR164830G-653 | 48M X 16 RAMBUS MODULE, DMA84 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYM71V8M635HCLT6-K | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HYM71V8M635HCT6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:8Mx64|3.3V|K/H|x4|SDR SDRAM - SO DIMM 64MB |
| HYM71V8M635HCT6-H | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HYM71V8M635HCT6-K | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HYM71V8M655ALT6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:8Mx64|3.3V|P/S|x4|SDR SDRAM - SO DIMM 64MB |
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