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參數(shù)資料
| 型號： | HYB3165400AT-60 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M x 4-Bit Dynamic RAM |
| 中文描述： | 16M X 4 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO32 |
| 文件頁數(shù)： | 3/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 246K |
| 代理商： | HYB3165400AT-60 |
Semiconductor Group
3
HYB3164(5)400AJ/AT(L)-40/-50/-60
16M x 4-DRAM
Pin Configuration
P-SOJ-32-1 (400 mil)
P-TSOPII-32-1 (400 mil)
1
2
3
4
5
6
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8
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15
16
23
22
21
24
25
26
27
28
VSS
I/O4
I/O3
N.C.
N.C.
N.C.
CAS
OE
A12 / N.C. *
A11
A10
A9
A8
A7
A6
VSS
VCC
I/O1
I/O2
N.C.
N.C.
N.C.
N.C.
A0
A1
A2
A3
A4
A5
VCC
18
17
19
20
O
WRITE
.
32
31
30
29
* Pin 24 is A12 for HYB 3164400AJ/AT(L) and N.C. for HYB 3165400AJ/AT(L)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB3164400T-60 | 16M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3165400T-60 | 16M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3164400AJ-60 | 16M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3165400AJ-60 | Bipolar Transistor; Collector Emitter Voltage, Vceo:75V; Power Dissipation, Pd:1.67W; DC Current Gain Min (hfe):120; C-E Breakdown Voltage:75V; Collector Current:1A; Transistor Polarity:NPN RoHS Compliant: Yes |
| HYB3164400AJ-40 | 16M x 4-Bit Dynamic RAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB3165400J-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3165400J-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3165400T-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3165400T-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3165405AJ-40 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16M x 4-Bit Dynamic RAM |
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