參數(shù)資料
型號(hào)： HYB3164405T-50
廠商： SIEMENS A G
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 16M x 4-Bit Dynamic RAM
中文描述： 16M X 4 EDO DRAM, 50 ns, PDSO34
文件頁(yè)數(shù)： 12/32頁(yè)
文件大小： 473K
代理商： HYB3164405T-50
Semiconductor Group
100
HYB3164(5)405J/T(L)-50/-60
16M x 4-DRAM
Test Mode
Write command setup time
t
WTS
t
WTH
10
–
10
–
ns
18)
Write command hold time
10
–
10
–
ns
18)
AC Characteristics
(cont’d)
5)6)
T
A
= 0 to 70 C,
V
CC
= 3.3 V
±
0.3V ,
t
T
= 2 ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Note
-50
-60
min.
max.
min.
max.
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PDF描述
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