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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB314405BJL-70 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| 中文描述： | 1M X 4 EDO DRAM, 70 ns, PDSO20 |
| 封裝： | 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/25頁(yè) |
| 文件大小： | 1363K |
| 代理商： | HYB314405BJL-70 |
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Semiconductor Group
8
HYB 314405BJ/BJL-50/-60/-70
3.3V 1M x 4 EDO - DRAM
Write command setup time
Write command to RAS lead time
t
RWL
Write command to CAS lead time
t
CWL
Data setup time
t
WCS
0
–
0
–
0
–
ns
15
13
–
15
–
17
–
ns
13
–
15
–
17
–
ns
t
DS
t
DH
0
–
0
–
0
–
ns
16
Data hold time
8
–
10
–
12
–
ns
16
Read-modify-Write Cycle
Read-write cycle time
t
RWC
t
RWD
t
CWD
t
AWD
118
–
138
–
162
–
ns
RAS to WE delay time
64
–
77
–
89
–
ns
15
CAS to WE delay time
27
–
32
–
36
–
ns
15
Column address to WE delay
time
39
–
47
–
54
–
ns
15
OE command hold time
t
OEH
10
–
13
–
15
–
ns
Hyper Page Mode (EDO) Cycle
Hyper page mode (EDO) cycle
time
t
HPC
20
–
25
–
30
–
ns
CAS precharge time
t
CP
t
CPA
8
–
10
–
10
–
ns
Access time from CAS
precharge
–
27
–
32
–
37
ns
7
Output data hold time
t
COH
t
RAS
5
–
5
–
5
–
ns
RAS pulse width in hyper page
mode
50
200 k 60
200 k 70
200 k ns
CAS precharge to RAS Delay
t
RHCP
27
–
32
–
37
–
ns
Hyper Page Mode (EDO) Read-modify-Write Cycle
Hyper page mode (EDO) read-
write cycle time
t
PRWC
58
–
68
–
77
–
ns
CAS precharge to WE
t
CPWD
41
–
49
–
56
–
ns
AC Characteristics
(cont’d)
5)6)
T
A
= 0 to 70 C,
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V,
t
T
= 2 ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Note
-50
-60
-70
min.
max. min.
max. min.
max.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB3164(5)400ATL | High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-MSOP-PowerPAD -40 to 85 |
| HYB3164400AT-60 | 16M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3165400AT-60 | 16M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3164400T-60 | 16M x 4-Bit Dynamic RAM |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| HYB3164160AT-40 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 16-Bit Dynamic RAM |
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