參數(shù)資料
型號(hào)： HYB314405BJL-70
廠商： SIEMENS A G
元件分類： DRAM
英文描述： 1M x 4-Bit Dynamic RAM
中文描述： 1M X 4 EDO DRAM, 70 ns, PDSO20
封裝： 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26
文件頁數(shù)： 12/25頁
文件大?。?/td> 1363K
代理商： HYB314405BJL-70
Semiconductor Group
12
HYB 314405BJ/BJL-50/-60/-70
3.3V 1M x 4 EDO - DRAM
Write Cycle (Early Write)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB3164(5)400ATL High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-MSOP-PowerPAD -40 to 85
HYB3164400AT-60 16M x 4-Bit Dynamic RAM
HYB3165400AT-60 16M x 4-Bit Dynamic RAM
HYB3164400T-60 16M x 4-Bit Dynamic RAM
HYB3165400T-60 16M x 4-Bit Dynamic RAM
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參數(shù)描述
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