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參數(shù)資料
| 型號： | HYB3118165BST-60 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-MSOP-PowerPAD -40 to 85 |
| 中文描述： | 1M X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO44 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44 |
| 文件頁數(shù)： | 20/24頁 |
| 文件大?。?/td> | 192K |
| 代理商： | HYB3118165BST-60 |
HYB 5118165BSJ/BST-50/-60
HYB 3118165BSJ/BST-50/-60
1M
×
16 EDO-DRAM
Semiconductor Group
20
1998-10-01
Hidden Refresh Cycle (Read)
SPT03053
"H" or "L"
V
I/O
(Outputs)
OL
V
(Inputs)
I/O
OH
V
V
IL
IH
V
OE
WE
V
IL
IH
V
IL
IH
V
CLZ
RAC
t
t
DZO
t
t
DZC
t
CAC
OEA
AA
t
t
Address
V
IL
IH
V
LCAS
UCAS
RAS
V
IL
IH
V
IL
V
IH
V
Column
RAS
t
t
RAH
Row
ASR
t
t
RCS
ASC
t
t
RCD
RAD
t
CAH
t
RRH
t
WRP
t
t
RSH
t
RC
RP
t
Valid Data OUT
OEZ
t
OFF
t
ODD
t
Hi Z
t
CDD
Row
WRH
t
t
CHR
RAS
t
ASR
t
CRP
t
RC
t
t
RP
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB 3118165BSJ | 1M×16-Bit Dynamic RAM (Hyper Page Mode-EDO)(1M×16位 動態(tài) RAM) |
| HYB 3118165BST-50 | 1M×16-Bit Dynamic RAM (Hyper Page Mode-EDO)(1M×16位 動態(tài) RAM) |
| HYB 3118165BST-60 | 1M×16-Bit Dynamic RAM (Hyper Page Mode-EDO)(1M×16位 動態(tài) RAM) |
| HYB 5118165BSJ | 1M×16-Bit Dynamic RAM(1M×16位 動態(tài)RAM(快速頁面模式)) |
| HYB 5118165BST-60 | 1M×16-Bit Dynamic RAM(1M×16位 動態(tài)RAM(快速頁面模式)) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB314100BJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 4M x 1-Bit Dynamic RAM |
| HYB314100BJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 4M x 1-Bit Dynamic RAM |
| HYB314100BJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 4M x 1-Bit Dynamic RAM |
| HYB314100BJBJL-50- | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 4M x 1-Bit Dynamic RAM |
| HYB314100BJL-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 4M x 1-Bit Dynamic RAM |
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