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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB3118165BST-60 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-MSOP-PowerPAD -40 to 85 |
| 中文描述： | 1M X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO44 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44 |
| 文件頁數(shù)： | 12/24頁 |
| 文件大?。?/td> | 192K |
| 代理商： | HYB3118165BST-60 |
HYB 5118165BSJ/BST-50/-60
HYB 3118165BSJ/BST-50/-60
1M
×
16 EDO-DRAM
Semiconductor Group
12
1998-10-01
Write Cycle (Early Write)
SPT03044
"H" or "L"
RWL
RAL
WCS
OH
(Inputs)
(Outputs)
I/O
I/O
IL
V
OL
V
V
V
IH
OE
WE
IH
V
IL
V
V
IL
V
IH
t
DS
t
Valid
DH
Data IN
WCH
t
t
WP
t
LCAS
V
Address
IH
V
V
IL
IL
UCAS
RAS
V
IH
IH
V
V
IL
t
RAD
ASR
t
t
RAH
Row
t
Column
ASC
t
CWL
t
CAH
t
t
RCD
t
CSH
t
t
RAS
t
Z
Hi
t
RC
CAS
RSH
t
ASR
t
Row
CRP
t
t
RP
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB 3118165BSJ | 1M×16-Bit Dynamic RAM (Hyper Page Mode-EDO)(1M×16位 動(dòng)態(tài) RAM) |
| HYB 3118165BST-50 | 1M×16-Bit Dynamic RAM (Hyper Page Mode-EDO)(1M×16位 動(dòng)態(tài) RAM) |
| HYB 3118165BST-60 | 1M×16-Bit Dynamic RAM (Hyper Page Mode-EDO)(1M×16位 動(dòng)態(tài) RAM) |
| HYB 5118165BSJ | 1M×16-Bit Dynamic RAM(1M×16位 動(dòng)態(tài)RAM(快速頁面模式)) |
| HYB 5118165BST-60 | 1M×16-Bit Dynamic RAM(1M×16位 動(dòng)態(tài)RAM(快速頁面模式)) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| HYB314100BJBJL-50- | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 4M x 1-Bit Dynamic RAM |
| HYB314100BJL-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 4M x 1-Bit Dynamic RAM |
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