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參數(shù)資料
| 型號： | HYB3117400BJ-50 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3.3V 4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| 中文描述： | 4M X 4 FAST PAGE DRAM, 50 ns, PDSO26 |
| 封裝： | 0.300 INCH, PLASTIC, SO-26 |
| 文件頁數(shù)： | 9/26頁 |
| 文件大小： | 253K |
| 代理商： | HYB3117400BJ-50 |
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Semiconductor Group
9
HYB 3116(7)400BJ/BT(L) -50/-60/-70
3.3V 4Mx4-DRAM
CAS to output in low-Z
t
CLZ
t
OFF
t
OEZ
0
–
0
–
0
–
ns
8
Output buffer turn-off delay
0
13
0
15
0
20
ns
12
Output buffer turn-off delay from
OE
0
13
0
15
0
20
ns
12
Data to OE low delay
t
DZO
t
CDD
t
ODD
0
–
0
–
0
–
ns
13
CAS high to data delay
13
–
15
–
20
–
ns
14
OE high to data delay
13
–
15
–
20
–
ns
14
Write Cycle
Write command hold time
t
WCH
t
WP
t
WCS
8
–
10
–
10
–
ns
Write command pulse width
8
–
10
–
10
–
ns
Write command setup time
0
–
0
–
0
–
ns
15
Write command to RAS lead time
t
RWL
Write command to CAS lead time
t
CWL
Data setup time
13
13
–
–
15
15
–
–
20
20
–
–
ns
ns
t
DS
t
DH
t
DZC
0
–
0
–
0
–
ns
16
Data hold time
10
–
10
–
15
–
ns
16
Data to CAS low delay
0
–
0
–
0
–
ns
13
Read-Modify-Write Cycle
Read-write cycle time
t
RWC
t
RWD
t
CWD
126
–
150
–
180
–
ns
RAS to WE delay time
68
–
80
–
95
–
ns
15
CAS to WE delay time
31
–
35
–
45
–
ns
15
Column address to WE delay time
t
AWD
OE command hold time
43
–
50
–
60
–
ns
15
t
OEH
13
–
15
–
20
–
ns
Fast Page Mode Cycle
Fast page mode cycle time
t
PC
t
CP
t
CPA
t
RAS
35
–
40
–
45
–
ns
CAS precharge time
10
–
10
–
10
–
ns
Access time from CAS precharge
–
30
–
35
–
40
ns
7
RAS pulse width
50
200k
60
200k 70
200k
ns
AC Characteristics
(cont’d)
5)6)
16F
T
A
= 0 to 70 °C,
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V,
t
T
= 5 ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Note
-50
-60
-70
min.
max. min.
max. min.
max.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB3116400BJ-50 | 3.3V 4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3117400BT-70 | 3.3V 4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3116400BT-70 | 3.3V 4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3117400BT-60 | 3.3V 4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3116400BT-60 | 3.3V 4M x 4-Bit Dynamic RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB3117400BJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
| HYB3117400BJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3117400BT-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3117400BT-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3117400BT-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit Dynamic RAM |
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