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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB25D256160CE-5 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 256 Mbit Double Data Rate SDRAM |
| 中文描述： | 256兆雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM |
| 文件頁數(shù)： | 63/94頁 |
| 文件大?。?/td> | 3326K |
| 代理商： | HYB25D256160CE-5 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁當(dāng)前第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁
Data Sheet
66
Rev. 1.6, 2004-12
HYB25D256[16/40/80]0C[E/C/F/T](L)
256 Mbit Double-Data-Rate SDRAM
Electrical Characteristics
4.3
Weak Strength Pull-down and Pull-up Characteristics
1. The weak pull-down
V-I curve for DDR SDRAM devices is expected, but not guaranteed, to lie within the inner
bounding lines of the
V-I curve.
2. The weak pull-up
V-I curve for DDR SDRAM devices is expected, but not guaranteed, to lie within the inner
bounding lines of the
V-I curve.
3. The full variation in driver pull-up current from minimum to maximum process, temperature, and voltage lie
within the outer bounding lines of the
V-I curve.
4. The full variation in the ratio of the maximum to minimum pull-up and pull-down current does not exceed 1.7,
for device drain to source voltages from 0.1 to 1.0.
5. The full variation in the ratio of the nominal pull-up to pull-down current should be unity
±10%, for device drain
to source voltages from 0.1 to 1.0 V.
Figure 36
Weak Strength Pull-down Characteristics
Figure 37
Weak Strength Pull-up Characteristics
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB25D256160CE-5A | 256 Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D256160CE-6 | 256 Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D256160BC-6 | Tools, Crimp; For Use With:Crimp terminal 12-60 AWG; Crimp Tool:Hand Crimp Tool |
| HYB39S256800DC-6 | 256 MBit Synchronous DRAM |
| HYB39S256160DC-6 | 256 MBit Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB25D256160CE-5A | 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:256-Mbit Double-Data-Rate SDRAM |
| HYB25D256160CE-6 | 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:256-Mbit Double-Data-Rate SDRAM |
| HYB25D256160CEL-6 | 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:256-Mbit Double-Data-Rate SDRAM |
| HYB25D256160CF-5 | 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:256-Mbit Double-Data-Rate SDRAM |
| HYB25D256160CF-6 | 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:256-Mbit Double-Data-Rate SDRAM |
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