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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB25D128800ATL-7 |
| 廠(chǎng)商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
| 中文描述： | 128兆雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 45/85頁(yè) |
| 文件大小： | 3085K |
| 代理商： | HYB25D128800ATL-7 |
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Data Sheet
45
Rev. 1.0, 2004-04
HYB25D128[400/800/160]C[C/E/T](L)
128 Mbit Double Data Rate SDRAM
Functional Description
Figure 23
Write to Read: Interrupting (CAS Latency = 2; Burst Length = 8)
T1
T2
T3
T4
T5
T6
t
DQSS
(max)
Maximum DQSS
NOP
NOP
NOP
Read
Write
NOP
DI a-b = data in for bank a, column b.
An interrupted burst is shown, 4 data elements are written.
3 subsequent elements of data in are applied in the programmed order following DI a-b.
t
WTR
is referenced from the first positive CK edge after the last data in pair.
The Read command masks the last 2 data elements in the burst.
A10 is Low with the Write command (Auto Precharge is disabled).
The Read and Write commands are not necessarily to the same bank.
1 = These bits are incorrectly written into the memory array if DM is low.
DIa- b
CK
CK
Command
Address
DQS
DQ
DM
Don’t Care
BAa, COL b
BAa, COL n
t
WTR
CL = 2
T1
T2
T3
T4
T5
T6
Minimum DQSS
NOP
NOP
NOP
Read
Write
NOP
CK
CK
Command
Address
BAa, COL b
BAa, COL n
t
WTR
DI a-b
DQS
DQ
DM
CL = 2
t
DQSS
(min)
1
1
1
1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB25D128160TCL-75 | MEMORY SPECTRUM |
| HYB25D128160TCL-7F | MEMORY SPECTRUM |
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| HYB25D128160TE-5 | MEMORY SPECTRUM |
| HYB25D128160TE-6 | MEMORY SPECTRUM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB25D128800ATL-8 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
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| HYB25D128800CC-5 | 制造商:QIMONDA 制造商全稱(chēng):QIMONDA 功能描述:128-Mbit Double-Data-Rate SDRAM |
| HYB25D128800CC-6 | 制造商:QIMONDA 制造商全稱(chēng):QIMONDA 功能描述:128-Mbit Double-Data-Rate SDRAM |
| HYB25D128800CE-5 | 制造商:QIMONDA 制造商全稱(chēng):QIMONDA 功能描述:128-Mbit Double-Data-Rate SDRAM |
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