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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB25D128400AT-6 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
| 中文描述： | 128兆雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 59/79頁(yè) |
| 文件大小： | 2596K |
| 代理商： | HYB25D128400AT-6 |
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1.1
HYB25D128[400/800/160]A-[6/7/8]
128Mbit Double Data Rate SDRAM
Electrical Characteristics
Data Sheet
59
Rev. 1.06, 2004-01
09192003-LFQ1-R60G
DQS-DQ skew (DQS and associated
DQ signals)
Data hold skew factor
DQ/DQS output hold time
t
DQSQ
—
+0.6
—
+0.5
t
HP
–
t
QHS
0.2
0.2
—
2)3)4)5)
t
QHS
t
QH
—
t
HP
–
t
QHS
0.35 —
1.0
—
—
t
HP
–
t
QHS
0.35
0.75
—
—
—
2)3)4)5)
2)3)4)5)
DQS input low (high) pulse width (write
cycle)
DQS falling edge to CK setup time
(write cycle)
DQS falling edge hold time from CK
(write cycle)
Mode register set command cycle time
t
MRD
Write preamble setup time
Write postamble
Write preamble
Address and control input setup time
t
DQSL,H
—
2
—
2)3)4)5)
t
DSS
0.2
—
0.2
—
0
—
2)3)4)5)
t
DSH
0.2
—
0.2
—
0.40
0.60
2)3)4)5)
2
0
0.40 0.60
0.25 —
1.1
—
—
2
0
0.40
0.25
0.9
—
—
0.60
—
—
0.25
0.75
0.8
0.75
0.8
—
—
—
—
—
2)3)4)5)
t
WPRES
t
WPST
t
WPRE
t
IS
2)3)4)5)8)
2)3)4)5)9)
2)3)4)5)
—
fast slew rate
3)4)5)6)10)
—
1.0
—
0.9
1.1
slow slew rate
3)4)5)6)10)
Address and control input hold time
t
IH
1.1
—
0.9
—
0.40
0.60
fast slew rate
3)4)5)6)10)
1.1
—
1.0
—
42
70E+3 slow slew rate
3)4)5)6)10)
Read preamble
t
RPRE
t
RPRE1.5
0.9
0.9
1.1
1.1
0.9
NA
1.1
60
72
—
—
CL > 1.5
2)3)4)5)
CL = 1.5
2)3)4)5)11)
Read preamble setup time
Read postamble
Active to Precharge command
Active to Active/Auto-refresh
command period
Auto-refresh to Active/Auto-refresh
command period
Active to Read or Write delay
Precharge command period
Active to Autoprecharge delay
Active bank A to Active bank B
command
Write recovery time
Auto precharge write recovery +
precharge time
t
RPRES
t
RPST
t
RAS
t
RC
1.5
0.40 0.60
50
70
—
NA
0.40
18
18
—
—
—
—
2)3)4)5)12)
0.60
120E+3 18
—
2)3)4)5)
120E+3 45
—
2)3)4)5)
65
12
2)3)4)5)
t
RFC
80
—
75
—
15
—
2)3)4)5)
t
RCD
t
RP
t
RAP
t
RRD
20
20
20
15
—
—
—
—
20
20
20
15
—
—
—
—
2)3)4)5)
1
75
200
—
—
—
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)
t
WR
t
DAL
15
—
(
t
wr
/
t
CK
) + (
t
rp
/
t
CK
)
15
—
—
7.8
t
CK
2)3)4)5)
2)3)4)5)13)
Table 18
Parameter
AC Timing - Absolute Specifications –8/–7/-6
(cont’d)
Symbol
–8
–7
–6
Note/
Test Conditi
on
1)
DDR200
Min. Max.
DDR266A
Min.
DDR333
Min.
Max.
Max.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB25D128400ATL-8 | 128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D128800AT-6 | 128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D128800ATL-8 | 128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D128400CC-6 | 128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D128400CT-7 | 128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB25D128400AT-7 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:?128Mb (32Mx4) DDR266A (2-3-3)? |
| HYB25D128400AT-8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:?128Mb (32Mx4) DDR200 (2-2-2)? |
| HYB25D128400ATL-6 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D128400ATL-7 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D128400ATL-8 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
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