參數(shù)資料
型號(hào)： HYB18H1G321AF
廠商： QIMONDA
英文描述： GDDR3 Graphics RAM 1-Gbit GDDR3 Graphics RAM
中文描述： GDDR3顯卡內(nèi)存1千兆位GDDR3顯卡內(nèi)存
文件頁數(shù)： 32/48頁
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代理商： HYB18H1G321AF
HYB18H1G321AF–10/11/14
1-Gbit GDDR3
Internet Data Sheet
Rev. 0.92, 2007-10
06122007-MW7D-3G3M
32
TABLE 16
Programmed Driver IV Characteristics at 40 Ohm
5.7.2
Termination IV Characteristic at 60 Ohms
Figure 17
represents the DQ termination Pull-Up IV characteristic under process, voltage and temperature best and worst case
conditions. The actual DQ termination Pull-Up current must lie between these two bounding curves. The value of the external
ZQ resistor is 240
Ω
, setting the nominal DQ termination impedance to 60
Ω
. (Extended Mode Register programmed to ZQ/4).
Voltage (V)
Pull-Down Current (mA)
Pull-Up Current (mA)
Minimum
Maximum
Minimum
Maximum
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
2.0
2.32
4.56
6.69
8.74
10.70
12.56
14.34
16.01
17.61
19.11
20.53
21.92
23.29
24.65
26.00
27.35
28.70
30.08
—
—
3.04
5.98
8.82
11.56
14.19
16.72
19.14
21.44
23.61
26.10
28.45
30.45
32.73
34.95
37.10
39.15
41.01
42.53
43.71
44.89
-2.44
-4.79
-7.03
-9.18
-11.23
-13.17
-15.01
-16.74
-18.37
-19.90
.21.34
-22.72
-24.07
-25.40
-26.73
-28.06
-29.37
-30.66
—
—
-3.27
-6.42
-9.45
-12.37
-15.17
-17.83
-20.37
-22.78
-25.04
-27.17
-29.17
-31.25
-33.00
-35.00
-37.00
-39.14
-41.25
-43.29
-45.23
-47.07
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