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參數(shù)資料
| 型號： | HYB 3117805BSJ-60 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 2M×8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh（Hyper Page Mode EDO） |
| 中文描述： | 200萬× 8 -位動態(tài)隨機存儲器（200萬× 8位動態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 20/23頁 |
| 文件大?。?/td> | 176K |
| 代理商： | HYB 3117805BSJ-60 |
HYB 5(3)117805/BSJ-50/-60
2M
×
8 EDO-DRAM
Semiconductor Group
20
1998-10-01
Hidden Refresh Early Write Cycle
SPT03035
"H" or "L"
WRP
Column
Row
Address
(Output)
(Input)
I/O
I/O
OL
V
OH
V
IN
V
V
IL
WE
IL
V
IH
V
V
IL
Valid Data
t
DS
t
WCS
t
DH
WP
t
WCH
t
t
ASR
V
CAS
IH
V
t
IL
IH
V
RAS
V
IL
IH
V
RAS
ASC
RAH
t
t
t
RAD
RCD
t
t
CAH
t
RSH
t
RC
t
RP
t
Row
Hi Z
t
WRH
RC
t
RAS
CHR
t
t
ASR
t
CRP
t
RP
t
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB 5117805BSJ-50 | 2M×8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh（Hyper Page Mode EDO） |
| HYB 5117805BSJ-60 | 2M×8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh（Hyper Page Mode EDO） |
| HYB3117805BSJ-60 | 2M x 8-Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| HYB314405BJBJL-50- | 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB314405BJ-60 | Transistor Array IC; Number of Transistors:4; Package/Case:16-SOIC; C-E Breakdown Voltage:50V; Mounting Type:Surface Mount |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB3117805BSJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 8-Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| HYB3117805BSJ-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 EDO Page Mode DRAM |
| HYB3118160BSJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3118160BSJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3118160BSJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
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