- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370742 > HYB 3116405BTL-60 (SIEMENS AG) 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動(dòng)態(tài) RAM (4K刷新,超級(jí)頁(yè)面EDO)) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB 3116405BTL-60 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動(dòng)態(tài) RAM (4K刷新,超級(jí)頁(yè)面EDO)) |
| 中文描述： | 4米× 4位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（4K的刷新，超頁(yè)模式-江戶）（4米× 4位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（4K的刷新，超級(jí)頁(yè)面EDO公司）） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/28頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 143K |
| 代理商： | HYB 3116405BTL-60 |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)當(dāng)前第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)
HYB 5116(7)405BJ-50/-60
HYB 3116(7)405BJ/BT(L)-50/-60
4M
×
4 EDO-DRAM
Semiconductor Group
7
1998-10-01
DC Characteristics
(cont’d)
T
A
= 0 to 70
°
C,
V
SS
= 0 V,
t
T
= 2 ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Notes
min.
max.
2k
4k
Common Parameters
Input leakage current
(0 V
≤
V
IH
≤
V
CC
+ 0.3 V, all other pins = 0 V)
Output leakage current
(DO is disabled, 0 V
≤
V
OUT
≤
V
CC
+ 0.3 V)
Average
V
CC
supply current
I
I(L)
– 10
10
μ
A
1
I
O(L)
– 10
10
μ
A
1
-50 version
-60 version
(RAS, CAS, address cycling:
t
RC
=
t
RC MIN.
)
Standby
V
CC
supply current
(RAS = CAS =
V
IH
)
Average
V
CC
supply current, during RAS-only
refresh cycles
I
CC1
–
–
80
70
50
40
mA
mA
2, 3, 4
2, 3, 4
I
CC2
–
2
mA
–
-50 version
-60 version
(RAS cycling, CAS =
V
IH
,
t
RC
=
t
RC MIN.
)
Average
V
CC
supply current,during hyper page
mode (EDO)
I
CC3
–
–
80
70
50
40
mA
mA
2, 4
2, 4
-50 version
-60 version
(RAS =
V
IL
, CAS, address cycling:
t
PC
=
t
PC MIN.
)
Standby
V
CC
supply current
(RAS = CAS =
V
CC
– 0.2 V)
Average
V
CC
supply current, during CAS-
before-RAS refresh mode
I
CC4
–
–
35
30
mA
mA
2, 3, 4
2, 3, 4
I
CC5
–
1
200
mA
μ
A
1
L-version
-50 version
-60 version
(RAS, CAS cycling:
t
RC
=
t
RC MIN.
)
Average Self Refresh current
(CBR cycle with
t
RAS
>
t
RASS MIN.
, CAS held
low, WE =
V
CC
– 0.2 V, Address and
Din =
V
CC
– 0.2 V or 0.2 V)
I
CC6
–
–
80
70
50
40
mA
mA
2, 4
2, 4
I
CC7
–
250
μ
A
L-
version
only
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB 3117405BJ-50 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(2k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動(dòng)態(tài) RAM (2K刷新,超級(jí)頁(yè)面EDO)) |
| HYB 3117405BJ-60 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(2k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動(dòng)態(tài) RAM (2K刷新,超級(jí)頁(yè)面EDO)) |
| HYB 3117405BT-50 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(2k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動(dòng)態(tài) RAM (2K刷新,超級(jí)頁(yè)面EDO)) |
| HYB 3117405BT-60 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(2k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動(dòng)態(tài) RAM (2K刷新,超級(jí)頁(yè)面EDO)) |
| HYB 5116405BJ-50 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動(dòng)態(tài) RAM (4K刷新,超級(jí)頁(yè)面EDO)) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB3116405BTL-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
| HYB3116405BTL-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3117400BJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit Dynamic RAM |
| HYB3117400BJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
| HYB3117400BJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit Dynamic RAM |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。