參數(shù)資料
型號： HYB 3116405BTL-60
廠商： SIEMENS AG
英文描述： 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (4K刷新,超級頁面EDO))
中文描述： 4米× 4位動態(tài)隨機存儲器（4K的刷新，超頁模式-江戶）（4米× 4位動態(tài)隨機存儲器（4K的刷新，超級頁面EDO公司））
文件頁數(shù)： 11/28頁
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代理商： HYB 3116405BTL-60
HYB 5116(7)405BJ-50/-60
HYB 3116(7)405BJ/BT(L)-50/-60
4M
×
4 EDO-DRAM
Semiconductor Group
11
1998-10-01
Test Mode
Write command setup time
t
WTS
t
WTH
t
CHRT
t
RAHT
10
–
10
–
ns
Write command hold time
10
–
10
–
ns
CAS hold time
30
–
30
–
ns
RAS hold time in test mode
30
–
30
–
ns
AC Characteristics
(cont’d)
5, 6
T
A
= 0 to 70
°
C,
V
CC
= 5 V
±
10 % /
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V,
t
T
= 2 ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Note
-50
-60
min.
max.
min.
max.
相關PDF資料
PDF描述
HYB 3117405BJ-50 4M×4-Bit Dynamic RAM(2k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (2K刷新,超級頁面EDO))
HYB 3117405BJ-60 4M×4-Bit Dynamic RAM(2k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (2K刷新,超級頁面EDO))
HYB 3117405BT-50 4M×4-Bit Dynamic RAM(2k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (2K刷新,超級頁面EDO))
HYB 3117405BT-60 4M×4-Bit Dynamic RAM(2k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (2K刷新,超級頁面EDO))
HYB 5116405BJ-50 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動態(tài) RAM (4K刷新,超級頁面EDO))
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
HYB3116405BTL-60 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh
HYB3116405BTL-70 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM
HYB3117400BJ-50 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit Dynamic RAM
HYB3117400BJ-60 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh
HYB3117400BJ-70 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit Dynamic RAM
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