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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB 3117405BT-60 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 4M×4-Bit Dynamic RAM(2k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動(dòng)態(tài) RAM (2K刷新,超級(jí)頁(yè)面EDO)) |
| 中文描述： | 4米× 4位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（的2K刷新，超頁(yè)模式-江戶）（4米× 4位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（2K刷新，超級(jí)頁(yè)面EDO公司）） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/28頁(yè) |
| 文件大小： | 143K |
| 代理商： | HYB 3117405BT-60 |
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Semiconductor Group
1
1998-10-01
4 194 304 words by 4-bit organization
0 to 70
°
C operating temperature
Hyper Page Mode - EDO - operation
Performance:
Power dissipation, refresh & addressing:
Read, write, read-modify-write, CAS-before-RAS refresh, RAS-only refresh, hidden refresh,
test mode and Self Refresh (on L-versions only)
All inputs, outputs and clocks fully TTL (5 V versions) and LV-TTL (3.3 V version)-compatible
Plastic Package:
P-SOJ-26/24-1
P-TSOPII-26/24-1 300 mil
300 mil
-50
-60
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
RC
t
HPC
RAS access time
50
60
ns
CAS access time
13
15
ns
Access time from address
25
30
ns
Read/Write cycle time
84
104
ns
Hyper page mode (EDO) cycle time
20
25
ns
HYB 5116405
HYB 3116405
HYB 5117405
HYB 3117405
-50
5 V
±
10%
12/10
-60
-50
3.3 V
±
0.3 V
12/10
-60
-50
5 V
±
10%
11/11
-60
-50
3.3 V
±
0.3 V
11/11
-60
Power supply
Addressing
Refresh
4096 cylces / 64 ms
2048 cycles / 32 ms
L-version
4096 cycles / 128 ms
–
Active
275
220
180
144
440
385
288
252
mW
TTL Standby
11
7.2
11
7.2
mW
CMOS Standby
5.5
3.6
5.5
3.6
mW
CMOS Standby
(L-version)
–
0.72
–
–
mW
4M
×
4-Bit Dynamic RAM
2k & 4k Refresh
(Hyper Page Mode - EDO)
Advanced Information
HYB 5116405BJ-50/-60
HYB 5117405BJ-50/-60
HYB 3116405BJ/BT(L)-50/-60
HYB 3117405BJ/BT-50/-60
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB 5116405BJ-50 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動(dòng)態(tài) RAM (4K刷新,超級(jí)頁(yè)面EDO)) |
| HYB 5116405BJ-60 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(4k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動(dòng)態(tài) RAM (4K刷新,超級(jí)頁(yè)面EDO)) |
| HYB 5117405BJ-50 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(2k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動(dòng)態(tài) RAM (2K刷新,超級(jí)頁(yè)面EDO)) |
| HYB 5117405BJ-60 | 4M×4-Bit Dynamic RAM(2k-Refresh,Hyper Page Mode - EDO)(4M×4位 動(dòng)態(tài) RAM (2K刷新,超級(jí)頁(yè)面EDO)) |
| HYB 3117800BSJ-50 | 2M×8-Bit Dynamic RAM (Fast Page Mode)(2M×8位 動(dòng)態(tài)RAM(快速頁(yè)面模式)) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB3117405BT-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
| HYB3117405BT-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| HYB3117800BSJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 8-Bit Dynamic RAM |
| HYB3117800BSJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| HYB3117800BSJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 8-Bit Dynamic RAM |
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