參數(shù)資料
型號(hào): HY57V561620T-8
廠商: HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類(lèi): DRAM
英文描述: 4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM
中文描述: 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54
封裝: 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
文件頁(yè)數(shù): 13/13頁(yè)
文件大?。?/td> 151K
代理商: HY57V561620T-8
HY57V561620(L)T
Revision 1.8 / Apr.01
PACKAGE INFORMATION
400mil 54pin Thin Small Outline Package
Unit : mm(Inch)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY57V561620T-H 4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM
HY57V561620T-P 4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM
HY57V561620T-S 4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM
HY57V56820B 4 Banks x 8M x 8Bit Synchronous DRAM
HY57V56820BL 4 Banks x 8M x 8Bit Synchronous DRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HY57V561620T-H 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM
HY57V561620T-HI 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x16 SDRAM
HY57V561620T-HP 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM
HY57V561620T-I 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:16Mx16|3.3V|8K|75|SDR SDRAM - 256M
HY57V561620T-P 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM