參數(shù)資料
型號： HY57V561620T-8
廠商： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類： DRAM
英文描述： 4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM
中文描述： 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54
封裝： 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
文件頁數(shù)： 12/13頁
文件大?。?/td> 151K
代理商： HY57V561620T-8
HY57V561620(L)T
Revision 1.8 / Apr.01
COMMAND TRUTH TABLE
Note :
1. OP Code : Operand Code
2. V = Valid, X = Don’ care, H = Logic High, L= Logic Low, RA = Row Address, CA = Column Address.
Command
CKEn-1
CKEn
CS
RAS
CAS
WE
DQM
ADDR
A10/
AP
BA
Note
Mode Register Set
H
X
L
L
L
L
X
OP code
1
No Operation
H
X
H
X
X
X
X
X
L
H
H
H
Bank Active
H
X
L
L
H
H
X
RA
V
Read
H
X
L
H
L
H
X
CA
L
V
Read with Autoprecharge
H
Write
H
X
L
H
L
L
X
CA
L
V
Write with Autoprecharge
H
Precharge All Banks
H
X
L
L
H
L
X
X
H
X
Precharge selected Bank
L
V
Burst Stop
H
X
L
H
H
L
X
X
UDQM, LDQM
H
X
V
X
Auto Refresh
H
H
L
L
L
H
X
X
Self Refresh
Entry
H
L
L
L
L
H
X
X
Exit
L
H
H
X
X
X
X
L
H
H
H
Precharge
power down
Entry
H
L
H
X
X
X
X
X
L
H
H
H
Exit
L
H
H
X
X
X
X
L
H
H
H
Clock
Suspend
Entry
H
L
H
X
X
X
X
X
L
V
V
V
Exit
L
H
X
X
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY57V561620T-H 4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM
HY57V561620T-P 4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM
HY57V561620T-S 4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM
HY57V56820B 4 Banks x 8M x 8Bit Synchronous DRAM
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參數(shù)描述
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