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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY29LV400BF70 |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) Low Voltage Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位（為512k × 8/256K × 16）低壓快閃記憶體 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 32/40頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 564K |
| 代理商： | HY29LV400BF70 |
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32
Rev. 1.0/Nov. 01
HY29LV400
AC CHARACTERISTICS
Notes:
1. The system may use CE# or OE# to toggle DQ[2] and DQ[6]. DQ[2] toggles only when read at an address within an
erase-suspended sector.
Figure 23. DQ[2] and DQ[6] Operation
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5
1
Sector Protect and Unprotect, Temporary Sector Unprotect
Notes:
1. Not 100% tested.
Figure 24. Temporary Sector Unprotect Timings
Erase
Complete
WE#
DQ[6]
DQ[2]
Enter Automatic
Erase
Erase
Erase
Suspend
Read
Enter Erase
Suspend
Program
Erase
Suspend
Program
Erase
Suspend
Read
Erase
Resume
Erase
Erase
Suspend
t
VIDR
RY/BY#
WE#
CE#
RESET#
V
ID
0 or 3V
t
RSP
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VIDR
0 or 3V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY29LV400BF70I | 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) Low Voltage Flash Memory |
| HY29LV400BF90 | 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) Low Voltage Flash Memory |
| HY29LV400BF90I | 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) Low Voltage Flash Memory |
| HY29LV400BT55 | 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) Low Voltage Flash Memory |
| HY29LV400BT55I | 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) Low Voltage Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY29LV400BF70I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Mbit (512K x 8/256K x 16) Low Voltage Flash Memory |
| HY29LV400BF90 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Mbit (512K x 8/256K x 16) Low Voltage Flash Memory |
| HY29LV400BF90I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Mbit (512K x 8/256K x 16) Low Voltage Flash Memory |
| HY29LV400BT55 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Mbit (512K x 8/256K x 16) Low Voltage Flash Memory |
| HY29LV400BT55I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Mbit (512K x 8/256K x 16) Low Voltage Flash Memory |
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