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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY29F002BC-45I |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 256K X 16 FLASH 5V PROM, 45 ns, PQCC32 |
| 封裝： | PLASTIC, LCC-32 |
| 文件頁數(shù)： | 10/40頁 |
| 文件大?。?/td> | 457K |
| 代理商： | HY29F002BC-45I |
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HY29F002
Rev. 4.0/Jan. 00
Write Pulse “Glitch” Protection
Noise pulses of less than 5 ns (typical) on OE#,
CE# or WE# do not initiate a write cycle.
Logical Inhibit
Write cycles are inhibited by asserting any one of
the following conditions: OE# = V
IL , CE# = VIH, or
WE# = V
IH. To initiate a write cycle, CE# and WE#
must be a logical zero while OE# is a logical one.
Power-Up Write Inhibit
If WE# = CE# = V
IL and OE# = VIH during power
up, the device does not accept commands on the
rising edge of WE#. The internal state machine is
automatically reset to the Read mode on power-
up.
Sector Protection
Additional data protection is provided by the
HY29F002’s sector protect feature, described pre-
viously, which can be used to protect sensitive
areas of the Flash array from accidental or unau-
thorized attempts to alter the data.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY29F400TR-12 | 512K X 8 FLASH 5V PROM, 120 ns, PDSO48 |
| HY5117800CT-60 | 2M X 8 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO28 |
| HY51V64804LTC-50 | 8M X 8 EDO DRAM, 50 ns, PDSO32 |
| HY628100ALLP-70I | 128K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, PDIP32 |
| HY628100ALLG-85I | 128K X 8 STANDARD SRAM, 85 ns, PDSO32 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY29F002BC-55 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| HY29F002BC-55E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| HY29F002BC-55I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| HY29F002BC-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| HY29F002BC-70E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
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