參數(shù)資料
型號： HY27US561M
廠商： Hynix Semiconductor Inc.
英文描述： 256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash
中文描述： 片256Mbit（32Mx8bit / 16Mx16bit）NAND閃存
文件頁數(shù)： 42/44頁
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代理商： HY27US561M
Rev 0.7 / Oct. 2004
42
HY27SS(08/16)561M Series
HY27US(08/16)561M Series
256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash
Table 18: 63-FBGA - 9.0 x 11, 6x8 ball array 0.8mm pitch, Pakage Outline Mechanical Data
Symbol
millimeters
Typ
0.90
0.30
0.60
0.45
9.00
4.00
7.20
11.00
5.60
8.80
0.80
2.50
1.70
2.70
1.10
0.40
0.40
Min
0.80
0.25
0.55
0.40
8.90
Max
1.00
0.35
0.65
0.50
9.10
A
A1
A2
b
D
D1
D2
E
E1
E2
e
FD
FD1
FE
FE1
SD
SE
10.90
11.10
Figure 38. 63-FBGA - 9.0 x 11, 6x8 ball array 0.8mm pitch, Pakage Outline
Note: Drawing is not to scale.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY27SS16561M 256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash
HY27US08561M 256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash
HY27SSxxx 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
HY27SS08121M 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
HY27SS16121M 512Mbit (64Mx8bit / 32Mx16bit) NAND Flash
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參數(shù)描述
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HY29DL162BF-12I 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:16 Megabit (2M x 8/1M x16) Low Voltage, Dual Bank, Simultaneous Read/Write Flash Memory
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