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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HN29WB800 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 1048576-word x 8-bit / 524288-word x 16-bit CMOS Flash Memory |
| 中文描述： | 1048576字× 8位/ 524288字× 16位CMOS閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 22/37頁(yè) |
| 文件大小： | 170K |
| 代理商： | HN29WB800 |
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HN29WT800 Series, HN29WB800 Series
22
Erase and Program Performance
Parameter
Min
Typ
Max
Unit
Main block write time (Page mode)
—
6.4
20.4
s
Page write time
—
25
80
ms
Block erase time
Note:
Typical values at V
CC
= 3.3 V, Ta = 25C. These values exclude system level overhead.
—
50
600
ms
Page Program Timing Waveform
(
WE
control)
CE
OE
WE
I/O
A7 to A18
Address valid
t
CH
t
OEH
t
CS
t
WC
t
WHRL
t
WP
t
WPH
BYTE
= High
(A0 to A6)
RDY/
Busy
RP
00H
01H
02H to 7EH
7FH
Page programRregister
Write read
array command
41H
Din
t
AS
t
AH
t
DH
t
DS
Din
Din
Din
FFH
SRD
BYTE
t
DAP
t
PS
BYTE
= Low
(A-1 to A6)
00H
01H
02H to FEH
FFH
V
HH
WP
t
BLH
t
BS
t
CE
t
OE
t
BH
t
BLS
t
WPS
t
WPH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HN29WT800 | 1048576-word x 8-bit / 524288-word x 16-bit CMOS Flash Memory |
| HN462532 | 4096-word X 8-bit UV Erasable and Programmable Read Only Memory |
| HN462716 | 2048-WORD x 8-BIT UV ERASABLE AND ELECTRICALLY PROGRAMMABLE ONLY MEMORY |
| HN462716G | 2048-WORD x 8-BIT UV ERASABLE AND ELECTRICALLY PROGRAMMABLE ONLY MEMORY |
| HN462732 | 4096-WORD x 8-BIT UV ERASABLE AND PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HN29WB800FP-10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29WB800FP-12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29WB800FP-8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| HN29WB800R-10 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:1048576-word x 8-bit / 524288-word x 16-bit CMOS Flash Memory |
| HN29WB800R-12 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:1048576-word x 8-bit / 524288-word x 16-bit CMOS Flash Memory |
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